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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102798816A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110138342.6
申请日：2011-05-26
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G01R31/3183
Abstract: 一种用于检测存储器译码电路的测试图形的生成方法，先清空阵列，然后初始化X方向地址，在给定的约束条件下，由X方向地址计算出Y方向地址，并计算出所要写入的数据，最后在X方向地址和步骤103得到的Y方向地址所决定的地址中，写入得到的数据，遍历X方向地址并重复以上操作。本发明用于检测存储器内的译码电路是否正常，具有普遍性，不同的存储器都可以用该方法来生成用于检测译码电路的测试图形，还可使译码电路测试图形和其他的测试图形相互兼容，省去写入2种测试图形之间的阵列清空操作，节省测试成本。
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公开(公告)号：CN115410627A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110579174.8
申请日：2021-05-26
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种非挥发存储器及存储器上进行擦除操作的方法，其中，所述非挥发存储器包括：多个存储单元；多条字线，用于操作多个存储单元，该多条字线被划分为多个擦除群组，每个擦除群组在进行擦除操作时施加相同的电压；一个擦除群组的字线与另一个或多个其他擦除群组的字线间隔交错排列。利用本发明，可以避免对存储器中数据进行擦除时出现过擦问题，提高存储器的可靠性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN118675585A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310269341.8
申请日：2023-03-17
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种非挥发存储器阵列及其驱动电路、擦除方法，该存储器阵列包括：多组存储单元阵列，每组存储单元阵列包括多个存储单元，同一组内的所述多个存储单元连接同一字线、并连接不同位线，所有存储单元连接同一源线；至少两组存储单元阵列共用同一深N阱和同一P阱。本发明方案可以缩小存储器阵列面积，并保证对存储单元擦写的可靠性和性能。
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公开(公告)号：CN113948147A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010693278.7
申请日：2020-07-17
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种非易失性存储器及其数据恢复方法。非易失性存储器包括页缓存器和具有存储单元的阵列，阵列适于通过页缓存器读出或者写入数据，页缓存器包括分别位于阵列上部和下部的上缓存区和下缓存区，上缓存区适于基于数据中奇数位或者偶数位中的一者操作存储单元，下缓存区适于基于数据中奇数位或者偶数位中的另一者操作存储单元。上缓存区和下缓存区至阵列中块的路径较短，使得锁存器中数据翻转的可能性减小。
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公开(公告)号：CN102798816B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110138342.6
申请日：2011-05-26
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G11C29/00
Abstract: 一种用于检测存储器译码电路的测试图形的生成方法，先清空阵列，然后初始化X方向地址，在给定的约束条件下，由X方向地址计算出Y方向地址，并计算出所要写入的数据，最后在X方向地址和步骤103得到的Y方向地址所决定的地址中，写入得到的数据，遍历X方向地址并重复以上操作。本发明用于检测存储器内的译码电路是否正常，具有普遍性，不同的存储器都可以用该方法来生成用于检测译码电路的测试图形，还可使译码电路测试图形和其他的测试图形相互兼容，省去写入2种测试图形之间的阵列清空操作，节省测试成本。
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