公开(公告)号：CN118675585A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310269341.8

申请日：2023-03-17

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 廖少武 ,  董艺 ,  祝崇智 ,  杨攀 ,  郝香池 ,  唐楠 ,  柏殷实

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/30 ,  G11C16/32 ,  G11C16/04 ,  G11C5/02

Abstract: 本发明公开一种非挥发存储器阵列及其驱动电路、擦除方法，该存储器阵列包括：多组存储单元阵列，每组存储单元阵列包括多个存储单元，同一组内的所述多个存储单元连接同一字线、并连接不同位线，所有存储单元连接同一源线；至少两组存储单元阵列共用同一深N阱和同一P阱。本发明方案可以缩小存储器阵列面积，并保证对存储单元擦写的可靠性和性能。

公开(公告)号：CN116129972A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202111340634.8

申请日：2021-11-12

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 陈斌 ,  周泉 ,  薛柏林 ,  许灵达 ,  田康迪 ,  王伟 ,  杨攀 ,  李福强

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30 ,  G11C5/14

Abstract: 本发明公开了一种钳位电压产生电路，该电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、充电模块；第一NMOS管的源极接地，第一NMOS管的栅极与漏极连接、并且与第二NMOS管的源极连接，第二NMOS管的栅极与漏极连接、并且连接充电模块的输出端；所述充电模块用于对第二NMOS管和第一NMOS管进行充电；第二NMOS管的漏极作为输出端，向非易失存储器读出电路中的钳位管输出钳位电压；第二NMOS管的类型和尺寸相同与所述钳位管的类型和尺寸相同。本发明还提供一种读出电路和一种电源电路。利用本发明钳位电压产生电路，可以减小由于钳位管工艺偏差对读通路中位线电压的影响，使位线上的电压能够在不同芯片中保持稳定。

公开(公告)号：CN116129953A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202111343080.7

申请日：2021-11-12

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 陈斌 ,  周泉 ,  薛柏林 ,  许灵达 ,  田康迪 ,  王伟 ,  杨攀 ,  杨晗欣

IPC: G11C7/10

Abstract: 本发明公开了一种存储器读出电路及芯片，包括：电流比较电路，预充电电路，工作模式切换开关，参考电流源，列解码电路；列解码电路通过位线与第一存储单元和第二存储单元连接，还通过工作模式切换开关与电流比较电路连接；参考电流源通过所述工作模式切换开关与电流比较电路连接；工作模式切换开关用于在读取数据时，将位线选中的存储单元与电流比较电路连接，并且在差分模式下，断开参考电流源与电流比较电路的连接，在单端模式下，控制参考电流源与电流比较电路连接；预充电电路与电流比较电路连接，用于在单端模式下对位线选中的存储单元进行读操作之前，对该存储单元进行充电。本发明存储器读出电路结构简单，适应性强。