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公开(公告)号：CN112331248A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910717282.X
申请日：2019-08-05
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种用于建立NOR存储器读电压的电荷泵电路和NOR存储器，电荷泵电路包括：低压降稳压模块，低压降稳压模块包括反馈电路，反馈电路用于维持低压降稳压模块的第一输出电压；升压模块，升压模块耦接低压降稳压模块的输出端，升压模块用于接收第一输出电压并且输出读电压；高压通路模块，高压通路模块耦接升压模块的输出端，高压通路模块用于维持读电压。本发明的技术方案能够防止读电压由于漏电流造成的电压降低，并且使得读电压与电源电压无关。
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公开(公告)号：CN113764395A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010485565.9
申请日：2020-06-01
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种闪存芯片模块和闪存芯片模块的封装方法，其中，闪存芯片模块包括：封装载体，包括若干外部共享引脚；位于所述封装载体上的闪存芯片，包括若干第一共享引脚以及若干第一内部引脚，所述第一共享引脚与所述外部共享引脚互连；位于所述封装载体上的应答保护单调计数器芯片，包括若干第二内部引脚，所述第二内部引脚与所述第一内部引脚互连。从而，降低了闪存芯片模块的设计复杂度、封装难度，增加了闪存芯片模块的成品率，并减小闪存芯片模块的功耗。
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公开(公告)号：CN118675585A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310269341.8
申请日：2023-03-17
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种非挥发存储器阵列及其驱动电路、擦除方法，该存储器阵列包括：多组存储单元阵列，每组存储单元阵列包括多个存储单元，同一组内的所述多个存储单元连接同一字线、并连接不同位线，所有存储单元连接同一源线；至少两组存储单元阵列共用同一深N阱和同一P阱。本发明方案可以缩小存储器阵列面积，并保证对存储单元擦写的可靠性和性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105225695A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410231769.4
申请日：2014-05-28
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种快闪存储器的擦除方法及快闪存储器。所述擦除方法包括：接收用于擦除操作的控制信号以及预擦除的存储块的地址；根据所述控制信号，以所述预擦除的存储块的地址作为查询地址，查询坏块映射表，所述坏块映射表中存储有第一备用块的地址，以及与所述第一备用块的地址存在一一对应关系的坏块的地址；当从所述坏块映射表中获取到与所述预擦除的存储块的地址对应的第一备用块的地址时，以所获取到的第一备用块的地址为物理操作地址，对所述获取到的第一备用块执行擦除操作。应用所述擦除方法可以提高快闪存储器的寿命。
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公开(公告)号：CN112331248B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910717282.X
申请日：2019-08-05
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种用于建立NOR存储器读电压的电荷泵电路和NOR存储器，电荷泵电路包括：低压降稳压模块，低压降稳压模块包括反馈电路，反馈电路用于维持低压降稳压模块的第一输出电压；升压模块，升压模块耦接低压降稳压模块的输出端，升压模块用于接收第一输出电压并且输出读电压；高压通路模块，高压通路模块耦接升压模块的输出端，高压通路模块用于维持读电压。本发明的技术方案能够防止读电压由于漏电流造成的电压降低，并且使得读电压与电源电压无关。
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公开(公告)号：CN115410627A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110579174.8
申请日：2021-05-26
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种非挥发存储器及存储器上进行擦除操作的方法，其中，所述非挥发存储器包括：多个存储单元；多条字线，用于操作多个存储单元，该多条字线被划分为多个擦除群组，每个擦除群组在进行擦除操作时施加相同的电压；一个擦除群组的字线与另一个或多个其他擦除群组的字线间隔交错排列。利用本发明，可以避免对存储器中数据进行擦除时出现过擦问题，提高存储器的可靠性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN102467967B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201010541843.4
申请日：2010-11-12
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G11C16/26
Abstract: 一种用于电可擦写只读存储器的读出电路和读出方法，该读出电路包含比较器，参考电阻，传感电阻，参考单元和存储单元，该读出电路中仅需要配置一个参考单元，在进行读操作的过程中利用了同一个参考单元，参考单元的阈值电压设置为中性阈值电压，并且参考单元控制栅上的电压也设置为固定值，从而显著减少了制造过程中的配置时间，而加在存储单元控制栅上的阈值是随工作模式变化的，同时，由于读操作及编程校验操作时加在存储单元控制栅上的电压相对以往技术更低，因此栅电压应力效应减少，参考单元的阈值电压被设置在中性阈值电压附近，使得参考单元的阈值电压更加稳定。
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公开(公告)号：CN212380424U
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202020970460.8
申请日：2020-06-01
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种闪存芯片模块，包括：封装载体，包括若干外部共享引脚；位于所述封装载体上的闪存芯片，包括若干第一共享引脚以及若干第一内部引脚，所述第一共享引脚与所述外部共享引脚互连；位于所述封装载体上的应答保护单调计数器芯片，包括若干第二内部引脚，所述第二内部引脚与所述第一内部引脚互连。从而，降低了闪存芯片模块的设计复杂度、封装难度，增加了闪存芯片模块的成品率，并减小闪存芯片模块的功耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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