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公开(公告)号：CN103377708A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210128867.6
申请日：2012-04-27
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种用于非易失性存储器的读出放大电路及存储器。所述读出电路包括：多位存储单元构成的基本物理单元，各位存储单元对应连接于各自的读出位线；基本物理单元经由第一选通管选通；与基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组，其中各基准单元与各位存储单元一一对应，对应连接于各自的基准电压线，并且与对应各位存储单元的结构完全相同；所述基准单元组经由第二选通管选通；所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同；读出放大器，连接上述多根读出位线及基准电压线，根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果，输出相应的读出数据。所述读出放大电路可以提高读取存储器时的数据读出速度。并且，可延长存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103377687A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210129351.3
申请日：2012-04-27
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G11C7/06
Abstract: 一种读出放大电路及存储器。所述读出放大电路包括：多位存储单元构成的基本物理单元，各位存储单元对应连接于各自的读出位线；所述基本物理单元经由第一选通管选通；与所述基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组，其中各基准单元与各位存储单元一一对应，对应连接于各自的基准电压线，并且与对应各位存储单元的结构完全相同；所述基准单元组经由第二选通管选通；所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同；读出放大器，连接上述多根读出位线及基准电压线，根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果，输出相应的读出数据。所述读出放大电路可以提高读取存储器时的数据读出速度。并且，可延长存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103377687B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201210129351.3
申请日：2012-04-27
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G11C7/06
Abstract: 一种读出放大电路及存储器。所述读出放大电路包括：多位存储单元构成的基本物理单元，各位存储单元对应连接于各自的读出位线；所述基本物理单元经由第一选通管选通；与所述基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组，其中各基准单元与各位存储单元一一对应，对应连接于各自的基准电压线，并且与对应各位存储单元的结构完全相同；所述基准单元组经由第二选通管选通；所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同；读出放大器，连接上述多根读出位线及基准电压线，根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果，输出相应的读出数据。所述读出放大电路可以提高读取存储器时的数据读出速度。并且，可延长存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103377708B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210128867.6
申请日：2012-04-27
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种用于非易失性存储器的读出放大电路及存储器。所述读出电路包括：多位存储单元构成的基本物理单元，各位存储单元对应连接于各自的读出位线；基本物理单元经由第一选通管选通；与基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组，其中各基准单元与各位存储单元一一对应，对应连接于各自的基准电压线，并且与对应各位存储单元的结构完全相同；所述基准单元组经由第二选通管选通；所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同；读出放大器，连接上述多根读出位线及基准电压线，根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果，输出相应的读出数据。所述读出放大电路可以提高读取存储器时的数据读出速度。并且，可延长存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104809487A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410042472.3
申请日：2014-01-28
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G06K17/00
Abstract: 本发明涉及一种电子器件及对电子器件进行访问的方法。所述电子器件包括：存储器；所述存储器包括：第一存储区域及第二存储区域；所述第一存储区域用于存储标签数据，所述第二存储区域用于存储通用数据。本发明能够解决现有技术中电子器件内标签数据与设备信息的配对错误问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104809487B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201410042472.3
申请日：2014-01-28
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G06K17/00
Abstract: 本发明涉及一种电子器件及对电子器件进行访问的方法。所述电子器件包括：存储器；所述存储器包括：第一存储区域及第二存储区域；所述第一存储区域用于存储标签数据，所述第二存储区域用于存储通用数据。本发明能够解决现有技术中电子器件内标签数据与设备信息的配对错误问题。
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公开(公告)号：CN105225695A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410231769.4
申请日：2014-05-28
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种快闪存储器的擦除方法及快闪存储器。所述擦除方法包括：接收用于擦除操作的控制信号以及预擦除的存储块的地址；根据所述控制信号，以所述预擦除的存储块的地址作为查询地址，查询坏块映射表，所述坏块映射表中存储有第一备用块的地址，以及与所述第一备用块的地址存在一一对应关系的坏块的地址；当从所述坏块映射表中获取到与所述预擦除的存储块的地址对应的第一备用块的地址时，以所获取到的第一备用块的地址为物理操作地址，对所述获取到的第一备用块执行擦除操作。应用所述擦除方法可以提高快闪存储器的寿命。
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公开(公告)号：CN104809493A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410042325.6
申请日：2014-01-28
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种射频标签、对射频标签进行访问的方法及电子系统。所述射频标签包括：第一存储区域及第二存储区域；所述第一存储区域用于存储标签数据，所述第二存储区域用于存储通用数据。所述电子系统，包括：电子设备及如上所述的射频标签；所述射频标签配置成适于地与所述电子设备交互。本发明能够在电子系统中增强射频标签的交互性能。
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公开(公告)号：CN104809420A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410042669.7
申请日：2014-01-28
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G06K7/00
CPC classification number: G06F3/0679 , G06F3/0605 , G06F3/0661
Abstract: 本发明涉及一种具有存储功能的器件，包括：第一存储区域，适于存储通用数据；第二存储区域，适于存储标签数据；接触式接口，适于与外部器件进行交互；非接触式接口，适于与外部器件进行交互；系统配置区域，适于存储系统配置数据，所述系统配置数据包括存储区域访问方式设定信息；处理器，适于在所述接触式接口接收到来自外部器件的指令时，根据所述存储区域访问方式设定信息控制所述接触式接口访问第一存储区域或第二存储区域；还适于在所述非接触式接口接收到来自外部器件的指令时，根据所述指令的类型控制所述非接触式接口访问第一存储区域或第二存储区域。本发明能够对器件中所存储的不同数据格式的数据进行同时访问。
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公开(公告)号：CN104809493B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201410042325.6
申请日：2014-01-28
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种射频标签、对射频标签进行访问的方法及电子系统。所述射频标签包括：第一存储区域及第二存储区域；所述第一存储区域用于存储标签数据，所述第二存储区域用于存储通用数据。所述电子系统，包括：电子设备及如上所述的射频标签；所述射频标签配置成适于地与所述电子设备交互。本发明能够在电子系统中增强射频标签的交互性能。
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