公开(公告)号：CN119631595A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202280098464.3

申请日：2022-08-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  饭岛彬文 ,  川原洸太朗 ,  菅原胜俊 ,  藤吉克洋

IPC: H10D84/80 ,  H10D8/60 ,  H10D8/01 ,  H10D30/63 ,  H10D30/01 ,  H10D62/80

Abstract: 本公开的半导体装置以及电力变换装置具备：第1导电类型的漂移层(20)；栅电极(60)，被设置为隔着栅极绝缘膜(50)与第2导电类型的阱区域(30)及第1导电类型的源极区域(40)对置；源电极(80)，设置于以覆盖栅电极(60)的方式设置的层间绝缘膜(55)上，与阱区域(30)及源极区域(40)连接；第1导电类型的第1分隔区域(21)，在将包括阱区域(30)、源极区域(40)及栅电极(60)的MOSFET在漂移层(20)配置多个的活性区域中与漂移层(20)连接地设置，与源电极(80)肖特基连接；和浪涌通电区域(301)，设置于活性区域，在俯视时在比阱区域(30)具有的第1宽度大的区域中形成，具有切断源电极(80)和漂移层(20)的连接的区域。通过这样的结构能够抑制在半导体装置中流过浪涌电流来破坏栅极绝缘膜(50)，得到浪涌耐受性高的半导体装置以及电力变换装置。

公开(公告)号：CN115706153A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210969186.6

申请日：2022-08-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤吉克洋 ,  谷冈寿一

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/51 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H02M1/00

Abstract: 提供能够对在施加反向偏置时发生放电进行抑制的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置(100)具有：n型外延层(2)，设置于SiC基板(1)之上；表面电极(10)，设置于外延层(2)之上；以及p型电场缓和区域(3)，在末端区域设置于外延层(2)的上层部。在外延层(2)之上设置由至少将电场缓和区域(3)的一部分覆盖的层间绝缘膜(23)及保护氧化膜(24)构成的第1保护膜。以将表面电极(10)的外侧的端部、第1保护膜及外延层(2)的至少一部分覆盖的方式，隔着氮化硅膜(81)设置由聚酰亚胺保护膜(12)构成的第2保护膜。氮化硅膜(81)在第2保护膜的内侧的端部及外侧的端部这两者处，相对于第2保护膜而伸出。

公开(公告)号：CN118825069A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410447152.X

申请日：2024-04-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菅原胜俊 ,  川原洸太朗 ,  饭岛彬文 ,  日野史郎 ,  藤吉克洋

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体装置，在内置有SBD的半导体装置中，抑制I2t耐量的降低。半导体装置具备第1导电型的漂移层、第2导电型的阱层、第1导电型的源极层、栅极电极、层间绝缘膜以及源极电极，处于在俯视观察时不与栅极电极重叠的位置的由阱层和漂移层构成的多个体二极管包括：在第1体二极管动作电压下动作的第1动作部；和在比第1体二极管动作电压低的第2体二极管动作电压下动作的多个第2动作部。