公开(公告)号：CN118825069A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410447152.X

申请日：2024-04-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菅原胜俊 ,  川原洸太朗 ,  饭岛彬文 ,  日野史郎 ,  藤吉克洋

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体装置，在内置有SBD的半导体装置中，抑制I2t耐量的降低。半导体装置具备第1导电型的漂移层、第2导电型的阱层、第1导电型的源极层、栅极电极、层间绝缘膜以及源极电极，处于在俯视观察时不与栅极电极重叠的位置的由阱层和漂移层构成的多个体二极管包括：在第1体二极管动作电压下动作的第1动作部；和在比第1体二极管动作电压低的第2体二极管动作电压下动作的多个第2动作部。

公开(公告)号：CN119631595A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202280098464.3

申请日：2022-08-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  饭岛彬文 ,  川原洸太朗 ,  菅原胜俊 ,  藤吉克洋

IPC: H10D84/80 ,  H10D8/60 ,  H10D8/01 ,  H10D30/63 ,  H10D30/01 ,  H10D62/80

Abstract: 本公开的半导体装置以及电力变换装置具备：第1导电类型的漂移层(20)；栅电极(60)，被设置为隔着栅极绝缘膜(50)与第2导电类型的阱区域(30)及第1导电类型的源极区域(40)对置；源电极(80)，设置于以覆盖栅电极(60)的方式设置的层间绝缘膜(55)上，与阱区域(30)及源极区域(40)连接；第1导电类型的第1分隔区域(21)，在将包括阱区域(30)、源极区域(40)及栅电极(60)的MOSFET在漂移层(20)配置多个的活性区域中与漂移层(20)连接地设置，与源电极(80)肖特基连接；和浪涌通电区域(301)，设置于活性区域，在俯视时在比阱区域(30)具有的第1宽度大的区域中形成，具有切断源电极(80)和漂移层(20)的连接的区域。通过这样的结构能够抑制在半导体装置中流过浪涌电流来破坏栅极绝缘膜(50)，得到浪涌耐受性高的半导体装置以及电力变换装置。

公开(公告)号：CN119605326A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202280097717.5

申请日：2022-07-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 饭岛彬文 ,  永久雄一 ,  川原洸太朗 ,  日野史郎

IPC: H10D30/66 ,  H10D8/60

Abstract: 缓和晶体管的截止状态下作用到体二极管的电场，并且提高最大单极电流密度。半导体装置具备第1分隔区域和第2分隔区域，第1分隔区域在俯视时朝第1方向以及第2方向延伸，第1分隔区域具有在第2方向上折返的至少1个第1折返区域，第2分隔区域在俯视时至少在第1方向上延伸，第2分隔区域在第2方向上的宽度大于等于第1分隔区域在第1方向或第2方向上的宽度。