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公开(公告)号：CN103503132B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180070578.9
申请日：2011-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/4952 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/115 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/06181 , H01L2224/29201 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/30181 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40179 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48699 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83139 , H01L2224/8314 , H01L2224/83143 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84138 , H01L2224/84143 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2224/85205 , H01L2224/92157 , H01L2224/92246 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/83205 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置。该半导体装置中，利用第1焊料（51）将第1引线（11）与MOS-FET（21）的下表面电极（23）进行接合，利用第2焊料（52）将MOS-FET的上表面电极（22）与内部引线（31）进行接合，利用第3焊料（53）将内部引线与第2引线的突起部（61）进行接合，并且第1引线、第2引线、MOS-FET以及内部引线通过密封树脂（41）来一体形成，在第1焊料的内部与第2焊料的内部设置支承构件（54）、（55），并通过自对准使内部引线与MOS-FET的位置稳定。
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公开(公告)号：CN103503132A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201180070578.9
申请日：2011-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/4952 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/115 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/06181 , H01L2224/29201 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/30181 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40179 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48699 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83139 , H01L2224/8314 , H01L2224/83143 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84138 , H01L2224/84143 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2224/85205 , H01L2224/92157 , H01L2224/92246 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/83205 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置。该半导体装置中，利用第1焊料（51）将第1引线（11）与MOS-FET（21）的下表面电极（23）进行接合，利用第2焊料（52）将MOS-FET的上表面电极（22）与内部引线（31）进行接合，利用第3焊料（53）将内部引线与第2引线的突起部（61）进行接合，并且第1引线、第2引线、MOS-FET以及内部引线通过密封树脂（41）来一体形成，在第1焊料的内部与第2焊料的内部设置支承构件（54）、（55），并通过自对准使内部引线与MOS-FET的位置稳定。
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公开(公告)号：CN103493200B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201180070201.3
申请日：2011-04-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/492 , B60L11/18 , B60L15/00
CPC classification number: H01L25/07 , B60L11/1803 , B60L15/007 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/27013 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/3701 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48699 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H02K11/33 , H02M7/537 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明的半导体装置包括：通过焊料（61）与第一基板（11）接合的第一MOS-FET（21）、通过焊料（64）与第二基板（12）接合的第二MOS-FET（22）、将第一基板（11）与第二MOS-FET（22）接合的第一引线（31）、以及将第二MOS-FET（22）与电流路径构件（13）接合的第二引线（32），该电流路径构件（13）从外部接受两个MOS-FET（21、22）的导通电流或将两个MOS-FET（21、22）的导通电流传输到外部，第二基板12的刚性高于两条引线（31、32）的刚性，而且，包含由两个MOS-FET（21、22）相对的间隙部（52）、并向两个MOS-FET（21、22）不相对的方向延伸的边界线（D-D）与第二基板（12）相交，而不与两条引线（31、32）相交。
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公开(公告)号：CN103493200A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201180070201.3
申请日：2011-04-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L25/07 , B60L11/1803 , B60L15/007 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/27013 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/3701 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48699 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H02K11/33 , H02M7/537 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明的半导体装置包括：通过焊料（61）与第一基板（11）接合的第一MOS-FET（21）、通过焊料（64）与第二基板（12）接合的第二MOS-FET（22）、将第一基板（11）与第二MOS-FET（22）接合的第一引线（31）、以及将第二MOS-FET（22）与电流路径构件（13）接合的第二引线（32），该电流路径构件（13）从外部接受两个MOS-FET（21、22）的导通电流或将两个MOS-FET（21、22）的导通电流传输到外部，第二基板12的刚性高于两条引线（31、32）的刚性，而且，包含由两个MOS-FET（21、22）相对的间隙部（52）、并向两个MOS-FET（21、22）不相对的方向延伸的边界线（D-D）与第二基板（12）相交，而不与两条引线（31、32）相交。
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