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公开(公告)号：CN103503132B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180070578.9
申请日：2011-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/4952 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/115 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/06181 , H01L2224/29201 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/30181 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40179 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48699 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83139 , H01L2224/8314 , H01L2224/83143 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84138 , H01L2224/84143 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2224/85205 , H01L2224/92157 , H01L2224/92246 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/83205 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置。该半导体装置中，利用第1焊料（51）将第1引线（11）与MOS-FET（21）的下表面电极（23）进行接合，利用第2焊料（52）将MOS-FET的上表面电极（22）与内部引线（31）进行接合，利用第3焊料（53）将内部引线与第2引线的突起部（61）进行接合，并且第1引线、第2引线、MOS-FET以及内部引线通过密封树脂（41）来一体形成，在第1焊料的内部与第2焊料的内部设置支承构件（54）、（55），并通过自对准使内部引线与MOS-FET的位置稳定。
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公开(公告)号：CN106471617A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201480077767.2
申请日：2014-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/28
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/84801 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 通过连续地利用激光进行点照射，从而在表面实施了金属镀敷的引线框(2)设置使金属镀敷变形成鳞状而得到的鳞状部(3)。鳞状部(3)被配置在引线框(2)的任意部位，例如浇口切断痕迹部、半导体元件(1)的周围等。利用该鳞状部(3)的锚固效果，引线框(2)与模塑树脂(8)的密接力提高，从而能够抑制模塑树脂(8)从引线框(2)剥离。(8)附近、被模塑树脂(8)密封的区域内的外周
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公开(公告)号：CN106471617B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201480077767.2
申请日：2014-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/28
Abstract: 通过连续地利用激光进行点照射，从而在表面实施了金属镀敷的引线框(2)设置使金属镀敷变形成鳞状而得到的鳞状部(3)。鳞状部(3)被配置在引线框(2)的任意部位，例如浇口切断痕迹(8)附近、被模塑树脂(8)密封的区域内的外周部、半导体元件(1)的周围等。利用该鳞状部(3)的锚固效果，引线框(2)与模塑树脂(8)的密接力提高，从而能够抑制模塑树脂(8)从引线框(2)剥离。
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公开(公告)号：CN103503132A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201180070578.9
申请日：2011-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/4952 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/115 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/06181 , H01L2224/29201 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/30181 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40179 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48699 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83139 , H01L2224/8314 , H01L2224/83143 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84138 , H01L2224/84143 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2224/85205 , H01L2224/92157 , H01L2224/92246 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/83205 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置。该半导体装置中，利用第1焊料（51）将第1引线（11）与MOS-FET（21）的下表面电极（23）进行接合，利用第2焊料（52）将MOS-FET的上表面电极（22）与内部引线（31）进行接合，利用第3焊料（53）将内部引线与第2引线的突起部（61）进行接合，并且第1引线、第2引线、MOS-FET以及内部引线通过密封树脂（41）来一体形成，在第1焊料的内部与第2焊料的内部设置支承构件（54）、（55），并通过自对准使内部引线与MOS-FET的位置稳定。
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