公开(公告)号：CN103503132B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201180070578.9

申请日：2011-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大贺琢也 ,  坂元一泰 ,  杉原刚 ,  加藤政纪 ,  中岛大辅 ,  治田刚 ,  多田玄

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/4952 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/115 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29201 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40179 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40249 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84143 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/37099

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置。该半导体装置中，利用第1焊料（51）将第1引线（11）与MOS-FET（21）的下表面电极（23）进行接合，利用第2焊料（52）将MOS-FET的上表面电极（22）与内部引线（31）进行接合，利用第3焊料（53）将内部引线与第2引线的突起部（61）进行接合，并且第1引线、第2引线、MOS-FET以及内部引线通过密封树脂（41）来一体形成，在第1焊料的内部与第2焊料的内部设置支承构件（54）、（55），并通过自对准使内部引线与MOS-FET的位置稳定。

公开(公告)号：CN103503132A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201180070578.9

申请日：2011-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大贺琢也 ,  坂元一泰 ,  杉原刚 ,  加藤政纪 ,  中岛大辅 ,  治田刚 ,  多田玄

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/4952 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/115 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29201 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40179 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40249 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84143 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/37099

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置。该半导体装置中，利用第1焊料（51）将第1引线（11）与MOS-FET（21）的下表面电极（23）进行接合，利用第2焊料（52）将MOS-FET的上表面电极（22）与内部引线（31）进行接合，利用第3焊料（53）将内部引线与第2引线的突起部（61）进行接合，并且第1引线、第2引线、MOS-FET以及内部引线通过密封树脂（41）来一体形成，在第1焊料的内部与第2焊料的内部设置支承构件（54）、（55），并通过自对准使内部引线与MOS-FET的位置稳定。