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公开(公告)号：CN109564882B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201680088302.6
申请日：2016-08-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N21/956 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及的半导体装置的制造方法具备：制造工序，形成多个单位区域，该单位区域具有第2区域和多个第1区域，该多个第1区域成为流过主电流的有效单元，该第2区域与该第1区域外观不同，成为不流过主电流的无效单元；以及外观检查工序，具备对单位区域进行拍摄，得到拍摄图像的工序，基于包含该第2区域的对准图案的位置，从该拍摄图像将检查图像截取出的工序，以及将该检查图像与基准图像进行比较的工序。本发明涉及的半导体装置具备：多个单位区域，该多个单位区域具有无效单元和多个有效单元，该多个有效单元流过主电流，该无效单元与该有效单元外观不同，不流过主电流，该多个单位区域具有500μm～5000μm的宽度。
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公开(公告)号：CN102653035A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110359111.8
申请日：2011-11-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 土屋范晃
IPC: B23K26/36 , H01L23/544
CPC classification number: H01L23/544 , B23K26/0622 , B23K26/361 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B41M5/26 , H01L21/67282 , H01L2223/54406 , H01L2223/54466 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及SiC半导体晶片的标刻方法以及SiC半导体晶片。在对SiC晶片的激光标刻中，一边确保刻印的图案的高可见性，一边抑制微粒的产生。对SiC晶片（100）的标识符（101）的标刻通过使用YAG激光的4次谐波的脉冲激光的照射来进行。此时，以脉冲激光的每个脉冲的脉冲照射痕（1）互相不重叠的方式，设定激光头移动的速度以及轨道、进行照射的脉冲激光的输出功率以及调Q频率等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102148249B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201010559277.X
申请日：2010-11-22
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/266 , H01L21/047 , H01L23/544 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制沟道长度的偏差的半导体装置的结构及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法包括：工序(a)，利用同一掩模，对应该成为SiC半导体层(1、2)的杂质注入区域(3)的区域和应该成为标记区域的区域进行蚀刻，形成凹部；工序(b)，利用与工序(a)相同的掩模，对应该成为杂质注入区域(3)的区域和应该成为标记区域的区域的凹部，从相对于SiC半导体层(1、2)的表面至少倾斜的方向进行离子注入；工序(c)，将应该成为杂质注入区域(3)的区域或者应该成为标记区域的区域的凹部作为基准，进行其他掩模的定位，对包含杂质注入区域(3)的区域进行阱注入。
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公开(公告)号：CN109564882A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201680088302.6
申请日：2016-08-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N21/956 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及的半导体装置的制造方法具备：制造工序，形成多个单位区域，该单位区域具有第2区域和多个第1区域，该多个第1区域成为流过主电流的有效单元，该第2区域与该第1区域外观不同，成为不流过主电流的无效单元；以及外观检查工序，具备对单位区域进行拍摄，得到拍摄图像的工序，基于包含该第2区域的对准图案的位置，从该拍摄图像将检查图像截取出的工序，以及将该检查图像与基准图像进行比较的工序。本发明涉及的半导体装置具备：多个单位区域，该多个单位区域具有无效单元和多个有效单元，该多个有效单元流过主电流，该无效单元与该有效单元外观不同，不流过主电流，该多个单位区域具有500μm～5000μm的宽度。
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公开(公告)号：CN103311146B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210530492.6
申请日：2012-12-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 土屋范晃
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/956 , H01L22/12 , H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供能以芯片单位掌握缺陷信息，即使是基板缺陷较多的低品质晶片也能够早早地检出缺陷，提高半导体晶片工艺的成品率的缺陷检查方法。本发明涉及的缺陷检查方法，是检查半导体晶片（1）的缺陷的缺陷检查方法，具备：（a）在检查对象的半导体晶片（1）上，对于半导体晶片（1）上的既定的器件芯片（2）形成与由该半导体晶片（1）生成的器件芯片（2）的尺寸对应的标记（4）的工序；（b）在半导体晶片工艺的既定的工艺中，或者在半导体晶片工艺之前，进行半导体晶片（1）的缺陷检查，将标记（4）作为基准，识别缺陷信息的工序。
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公开(公告)号：CN103311146A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210530492.6
申请日：2012-12-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 土屋范晃
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/956 , H01L22/12 , H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供能以芯片单位掌握缺陷信息，即使是基板缺陷较多的低品质晶片也能够早早地检出缺陷，提高半导体晶片工艺的成品率的缺陷检查方法。本发明涉及的缺陷检查方法，是检查半导体晶片（1）的缺陷的缺陷检查方法，具备：（a）在检查对象的半导体晶片（1）上，对于半导体晶片（1）上的既定的器件芯片（2）形成与由该半导体晶片（1）生成的器件芯片（2）的尺寸对应的标记（4）的工序；（b）在半导体晶片工艺的既定的工艺中，或者在半导体晶片工艺之前，进行半导体晶片（1）的缺陷检查，将标记（4）作为基准，识别缺陷信息的工序。
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公开(公告)号：CN102148249A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010559277.X
申请日：2010-11-22
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/266 , H01L21/047 , H01L23/544 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制沟道长度的偏差的半导体装置的结构及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法包括：工序(a)，利用同一掩模，对应该成为SiC半导体层(1、2)的杂质注入区域(3)的区域和应该成为标记区域的区域进行蚀刻，形成凹部；工序(b)，利用与工序(a)相同的掩模，对应该成为杂质注入区域(3)的区域和应该成为标记区域的区域的凹部，从相对于SiC半导体层(1、2)的表面至少倾斜的方向进行离子注入；工序(c)，将应该成为杂质注入区域(3)的区域或者应该成为标记区域的区域的凹部作为基准，进行其他掩模的定位，对包含杂质注入区域(3)的区域进行阱注入。
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