公开(公告)号：CN101681824B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880015508.1

申请日：2008-05-16

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 河瀬康弘 ,  池本慎 ,  伊藤笃史 ,  石川诚

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/0206 ,  C11D3/2075 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供一种半导体器件用基板清洗液，其对基板表面附着的颗粒或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属导致的复合污染的去除性和防止再附着性优异，不会腐蚀基板表面，能够高度洁净化。特别是提供低介电常数(Low-k)材料的清洗性优异的清洗液，低介电常数(Low-k)材料因疏水性而容易排斥试剂，并且颗粒去除性差。所述半导体器件用基板清洗液的特征在于，其含有(A)有机酸和(B)HLB值为5以上且小于13的非离子型表面活性剂。

公开(公告)号：CN1514807A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN02811728.X

申请日：2002-06-07

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 石川诚 ,  齐藤范之 ,  三好胜

IPC: C01F17/00 ,  C23F1/26 ,  C23F1/46

CPC classification number: C01F17/0012

Abstract: 本发明的课题是从含铈溶液以高收率在短时间内回收高纯度铈化合物的方法，具体地提供从蚀刻废液等的含有铈的酸性水溶液以硝酸铵铈(IV)的形式回收铈的方法。本发明的硝酸铵铈((IV))的制造方法是从至少含有三价铈、四价铈、铵离子和硝酸的酸性水溶液中制造硝酸铵铈(IV)的方法，其特征在于该酸性水溶液含有在pH2以下的氧化电位为0.7～1.6V的金属，提高该酸性水溶液中的硝酸浓度，析出硝酸铵铈(IV)结晶。

公开(公告)号：CN101884092A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118851.9

申请日：2008-12-03

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 望月英章 ,  石川诚 ,  齐藤范之

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/06 ,  C11D7/18 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C11D17/08

CPC classification number: C11D3/044 ,  C11D1/72 ,  C11D3/2068 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/263 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明提供一种半导体器件用基板的清洗方法，该方法对附着在基板表面的微小粒子或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属的复合污染的除去性以及再附着防止性优异，不会腐蚀基板表面，并且即使不施加强的超声波也可以高度清洁化。本发明的半导体器件用基板的清洗方法使用含有以下成分(A)～(D)的清洗液，并以每1cm2超声波照射基板0.2W～1.5W的强度施加超声波，由此对半导体器件用基板进行清洗。(A)过氧化氢、(B)碱、(C)水、(D)下述通式(1)表示的化合物，R1-O-(-R2-O-)n-H(1)，式中，R1表示碳原子数1～4的烷基、R2表示碳原子数2～3的亚烷基、n表示1～3的整数。

公开(公告)号：CN101198726A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680021492.6

申请日：2006-05-09

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  森永均 ,  河濑康弘 ,  北野真史 ,  水谷文一 ,  石川诚

IPC: C25D11/04 ,  C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供一种适用于保护以铝为主成分的金属的金属氧化物膜。是由以铝为主成分的金属的氧化物构成的膜，膜厚为10nm以上，从所述膜放出的水分量为1E18分子/cm2以下。还提供一种金属氧化物膜的制造方法，在pH4～10的化成液中，对以铝为主成分的金属进行阳极氧化而获得金属氧化物膜。

公开(公告)号：CN1946877A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580012195.0

申请日：2005-04-07

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 石川诚 ,  鎌田浩史

IPC: C23F1/28 ,  C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  H01L21/306 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28

Abstract: 本发明提供蚀刻液和采用该蚀刻液的蚀刻方法。在对底层膜和上层膜的层叠膜中的至少底层膜进行蚀刻时，通过抑制由电腐蚀作用引起的侧蚀来进行理想的蚀刻，所述底层膜形成于基板上并含有铬、镍或含铬和/或镍的合金，所述上层膜覆盖所述底层膜的全部或部分表面并含有贵金属或贵金属的合金。所述蚀刻液是对底层膜和上层膜的层叠膜中的至少底层膜进行蚀刻的蚀刻液，所述底层膜形成于基板上并含有铬、镍或含铬和/或镍的合金，所述上层膜覆盖所述底层膜的全部或部分表面并含有贵金属或贵金属的合金，所述蚀刻液含有硝酸浓度为35重量％以上的水溶液。

公开(公告)号：CN1255864C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN02141824.1

申请日：2002-07-23

Applicant: 索尼公司 ,  STLCD株式会社 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 宗像昌树 ,  小松洋仁 ,  公文哲史 ,  寺本和真 ,  合田信弘 ,  元井政和 ,  齐藤范之 ,  榊原利明 ,  石川诚

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/30

Abstract: 在基体上的银或银合金薄层通过蚀刻液而均匀地被蚀刻，而不产生蚀刻残留，同时可避免由于过度腐蚀导致的侧面腐蚀。该蚀刻液含有0.005～1重量%的银离子。蚀刻液供入罐或蚀刻液供料设备中，而后使之与基体上的银或银合金薄层接触。

公开(公告)号：CN1399317A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：CN02141824.1

申请日：2002-07-23

Applicant: 索尼公司 ,  STLCD株式会社 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 宗像昌树 ,  小松洋仁 ,  公文哲史 ,  寺本和真 ,  合田信弘 ,  元井政和 ,  齐藤范之 ,  榊原利明 ,  石川诚

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/30

Abstract: 在基体上的银或银合金薄层通过蚀刻液而均匀地被蚀刻，而不产生蚀刻残留，同时可避免由于过度腐蚀导致的侧面腐蚀。该蚀刻液含有0.005～1重量％的银离子。蚀刻液供入罐或蚀刻液供料设备中，而后使之与基体上的银或银合金薄层接触。

公开(公告)号：CN101218376A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680020909.7

申请日：2006-06-16

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  三菱化学株式会社 ,  日本陶瓷科技股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  森永均 ,  河濑康弘 ,  北野真史 ,  水谷文一 ,  石川诚 ,  岸幸男

IPC: C23C28/00 ,  C23C8/10 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/16 ,  C25D11/18 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/02 ,  C23C8/80 ,  C23C28/00 ,  C23C28/042 ,  C25D11/02 ,  C25D11/04 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/16 ,  C25D11/18 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 提供一种使抑制反应生成物堆积到半导体或平板显示器制造装置等的处理室内壁等上、因内壁等的腐蚀造成的金属污染、放出气体造成的工艺不稳定性等多个工艺成为可能的多功能制造装置系统及用于该系统的保护皮膜构造。在金属材料的表面上具有作为基底层的第1皮膜层，再形成200μm左右的第2皮膜层，该第1皮膜层具有通过母材的直接氧化形成的1μm以下膜厚的氧化物皮膜。通过该构成，可以使第2层的保护膜对离子和自由基具有耐蚀性，使第1层的氧化物皮膜起到防止因分子和离子扩散到第2层保护膜中使母材金属表面受到腐蚀的保护层的效果，降低各金属构件、工艺腔内表面对基板造成的金属污染。可以抑制因母材和第2层的保护膜界面的腐蚀造成的第2层保护膜密着力下降而导致的第2层保护膜的剥离。

公开(公告)号：CN1798874A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480014911.4

申请日：2004-11-09

Applicant: 先进显示股份有限公司 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 齐藤范之 ,  吉田卓司 ,  井上和式 ,  石川诚 ,  上原口好夫

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23F1/20 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134

Abstract: 仅通过一次蚀刻操作，同时蚀刻构成多层膜的两层而形成精度令人满意的微细配线形状，同时防止上方层形成悬伸物；所述多层膜包括由铝合金制成的第一层和形成在该第一层上的由钼－铌合金制成的第二层。对于包括形成在基板上的铝合金层和形成在所述铝合金层上的铌含量为2重量％～19重量％的钼－铌合金层的多层膜，用于蚀刻该多层膜的蚀刻剂包含磷酸、硝酸和有机酸的酸混合物的水溶液；以及使用该蚀刻剂实施所述蚀刻方法。优选所述蚀刻剂的磷酸浓度Np为50重量％～75重量％，硝酸浓度Nn为2重量％～15重量％，由Np+(98/63)Nn定义的酸成分的浓度为55重量％～85重量％。

公开(公告)号：CN101098989A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200580046553.X

申请日：2005-03-29

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 齐藤范之 ,  香月隆伸 ,  石川诚 ,  青木真澄

IPC: C23F1/18 ,  C09K13/06 ,  H01L21/308

CPC classification number: C23F1/34 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明提供铜的蚀刻液和蚀刻方法，其即使在其他金属共存的情况下，也能选择对铜或铜合金均匀地进行蚀刻。所述铜的蚀刻液至少含有草酸铵、过氧化氢和表面活性剂，并且表面张力为45mN/m以下，pH为6.0～8.5。草酸铵作为与铜形成铜络合物而使铜溶解的络合剂发挥作用，过氧化氢作为对铜表面进行氧化的氧化剂发挥作用，通过含有表面活性剂，使蚀刻液的表面张力为45mN/m以下。由此提高对基板的润湿性，提高蚀刻液对基板结构中高位部的浸渗性，在配线或电极用的具有优异导电性的金属共存的情况下，能均匀且选择性地蚀刻铜或铜合金。