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公开(公告)号：CN112602175B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201980055634.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/22 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D17/08
Abstract: 本发明涉及清洗液，其包含成分(A)：下述通式(1)所表示的化合物、成分(B)：烷基胺、成分(C)：多元羧酸、成分(D)：抗坏血酸，其中，成分(A)的质量相对于成分(B)和成分(C)的合计质量之比为1～15。(所述通式(1)中，R1、R2、R3分别与说明书中所记载的定义相同。)。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN101681824B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880015508.1
申请日：2008-05-16
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/0206 , C11D3/2075 , C11D11/0047 , H01L21/02074
Abstract: 本发明提供一种半导体器件用基板清洗液，其对基板表面附着的颗粒或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属导致的复合污染的去除性和防止再附着性优异，不会腐蚀基板表面，能够高度洁净化。特别是提供低介电常数(Low-k)材料的清洗性优异的清洗液，低介电常数(Low-k)材料因疏水性而容易排斥试剂，并且颗粒去除性差。所述半导体器件用基板清洗液的特征在于，其含有(A)有机酸和(B)HLB值为5以上且小于13的非离子型表面活性剂。
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公开(公告)号：CN1420161A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02151346.5
申请日：2002-11-18
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C11D3/044 , C11D1/72 , C11D3/3947 , C11D11/0047 , C11D11/007 , C23G1/18 , H01L21/02052
Abstract: 提供在半导体器件或显示器件等制造过程中，与现有技术相比，能够高效率地对器件用基片去除微小微粒子污染的洗净液及洗净方法。以至少含有以下的(A)、(B)、(C)、(D)，pH是9以上，(C)的含量是0.01重量％以上4重量％以下为特征的基片表面洗净液。(A)是在同一分子结构内具有可以有取代基的烃基和聚氧亚乙基环氧乙烷加成型表面活性剂，是以包含在该烃基中的碳原子数(m)和聚氧亚乙基中的氧亚乙基的数(n)的比率是m/n≤1.5为特征的表面活性剂(B)碱成分(C)过氧化氢(D)水。
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公开(公告)号：CN112602175A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055634.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/22 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D17/08
Abstract: 本发明涉及清洗液，其包含成分(A)：下述通式(1)所表示的化合物、成分(B)：烷基胺、成分(C)：多元羧酸、成分(D)：抗坏血酸，其中，成分(A)的质量相对于成分(B)和成分(C)的合计质量之比为1～15。(所述通式(1)中，R1、R2、R3分别与说明书中所记载的定义相同。)。
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公开(公告)号：CN101681824A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015508.1
申请日：2008-05-16
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/0206 , C11D3/2075 , C11D11/0047 , H01L21/02074
Abstract: 本发明提供一种半导体器件用基板清洗液，其对基板表面附着的颗粒或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属导致的复合污染的去除性和防止再附着性优异，不会腐蚀基板表面，能够高度洁净化。特别是提供低介电常数(Low-k)材料的清洗性优异的清洗液，低介电常数(Low-k)材料因疏水性而容易排斥试剂，并且颗粒去除性差。所述半导体器件用基板清洗液的特征在于，其含有(A)有机酸和(B)HLB值为5以上且小于13的非离子型表面活性剂。
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