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公开(公告)号：CN112602175A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055634.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/22 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D17/08
Abstract: 本发明涉及清洗液，其包含成分(A)：下述通式(1)所表示的化合物、成分(B)：烷基胺、成分(C)：多元羧酸、成分(D)：抗坏血酸，其中，成分(A)的质量相对于成分(B)和成分(C)的合计质量之比为1～15。(所述通式(1)中，R1、R2、R3分别与说明书中所记载的定义相同。)。
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公开(公告)号：CN112602175B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201980055634.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/22 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D17/08
Abstract: 本发明涉及清洗液，其包含成分(A)：下述通式(1)所表示的化合物、成分(B)：烷基胺、成分(C)：多元羧酸、成分(D)：抗坏血酸，其中，成分(A)的质量相对于成分(B)和成分(C)的合计质量之比为1～15。(所述通式(1)中，R1、R2、R3分别与说明书中所记载的定义相同。)。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116635986A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180086742.9
申请日：2021-11-15
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种蚀刻组合物，其包含碳原子数为8以上的四级铵盐(A)，相对于硅锗，选择性地溶解硅。可以进一步包含螯合剂(B)。一种蚀刻方法，其使用该蚀刻组合物对包含硅和硅锗的结构体进行蚀刻。本发明提供可抑制硅锗的溶解、促进硅的溶解、硅相对于硅锗的选择性溶解性优异的蚀刻组合物；使用了该蚀刻组合物的蚀刻方法；半导体器件的制造方法和全环绕栅极型晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN110447090A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201880019482.1
申请日：2018-03-20
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D17/08
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件用基板的清洗液，该清洗液的pH为8以上11.5以下，该清洗液含有：成分(A)：含有选自由下述通式(1)～(3)所表示的化合物组成的组中的至少一种的化合物；成分(B)：抗坏血酸；成分(C)：多元羧酸或羟基羧酸；成分(D)：pH调节剂；以及成分(E)：水。(所述式中，R1～R6、R11～R17和R21～R28分别与说明书中记载的定义相同。)
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