公开(公告)号：CN101198726A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680021492.6

申请日：2006-05-09

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  森永均 ,  河濑康弘 ,  北野真史 ,  水谷文一 ,  石川诚

IPC: C25D11/04 ,  C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供一种适用于保护以铝为主成分的金属的金属氧化物膜。是由以铝为主成分的金属的氧化物构成的膜，膜厚为10nm以上，从所述膜放出的水分量为1E18分子/cm2以下。还提供一种金属氧化物膜的制造方法，在pH4～10的化成液中，对以铝为主成分的金属进行阳极氧化而获得金属氧化物膜。

公开(公告)号：CN101198726B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200680021492.6

申请日：2006-05-09

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  森永均 ,  河濑康弘 ,  北野真史 ,  水谷文一 ,  石川诚

IPC: C25D11/04 ,  C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供一种适用于保护以铝为主成分的金属的金属氧化物膜。是由以铝为主成分的金属的氧化物构成的膜，膜厚为10nm以上，从所述膜放出的水分量为1E18分子/cm2以下。还提供一种金属氧化物膜的制造方法，在pH4～10的化成液中，对以铝为主成分的金属进行阳极氧化而获得金属氧化物膜。

公开(公告)号：CN1918698A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580004481.2

申请日：2005-02-02

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 池本慎 ,  森永均

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C11D3/30 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/3409 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供半导体装置用基板的洗涤液及洗涤方法，所述半导体装置用基板的洗涤液能够同时去除微粒污染、有机物污染及金属污染而不腐蚀基板表面，并且水冲洗性良好，可以在短时间内高度清洁基板表面。所述半导体装置用基板洗涤液含有：成分(a)有机酸、成分(b)有机碱成分、成分(c)表面活性剂及成分(d)水，该洗涤液的pH大于等于1.5而小于6.5。所述半导体装置用基板的洗涤方法使用该半导体装置用基板洗涤液对表面具有铜膜和低介电常数绝缘膜并且经CMP处理的半导体装置用基板进行洗涤。

公开(公告)号：CN1420161A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02151346.5

申请日：2002-11-18

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 森永均 ,  望月英章 ,  伊藤笃史

IPC: C11D1/722 ,  C11D3/39

CPC classification number: C11D3/044 ,  C11D1/72 ,  C11D3/3947 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/007 ,  C23G1/18 ,  H01L21/02052

Abstract: 提供在半导体器件或显示器件等制造过程中，与现有技术相比，能够高效率地对器件用基片去除微小微粒子污染的洗净液及洗净方法。以至少含有以下的(A)、(B)、(C)、(D)，pH是9以上，(C)的含量是0.01重量％以上4重量％以下为特征的基片表面洗净液。(A)是在同一分子结构内具有可以有取代基的烃基和聚氧亚乙基环氧乙烷加成型表面活性剂，是以包含在该烃基中的碳原子数(m)和聚氧亚乙基中的氧亚乙基的数(n)的比率是m/n≤1.5为特征的表面活性剂(B)碱成分(C)过氧化氢(D)水。

公开(公告)号：CN1918698B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200580004481.2

申请日：2005-02-02

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 池本慎 ,  森永均

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C11D3/30 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/3409 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供半导体装置用基板的洗涤液及洗涤方法，所述半导体装置用基板的洗涤液能够同时去除微粒污染、有机物污染及金属污染而不腐蚀基板表面，并且水冲洗性良好，可以在短时间内高度清洁基板表面。所述半导体装置用基板洗涤液含有：成分(a)有机酸、成分(b)有机碱成分、成分(c)表面活性剂及成分(d)水，该洗涤液的pH大于等于1.5而小于6.5。所述半导体装置用基板的洗涤方法使用该半导体装置用基板洗涤液对表面具有铜膜和低介电常数绝缘膜并且经CMP处理的半导体装置用基板进行洗涤。

公开(公告)号：CN101218376A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680020909.7

申请日：2006-06-16

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  三菱化学株式会社 ,  日本陶瓷科技股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  森永均 ,  河濑康弘 ,  北野真史 ,  水谷文一 ,  石川诚 ,  岸幸男

IPC: C23C28/00 ,  C23C8/10 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/16 ,  C25D11/18 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/02 ,  C23C8/80 ,  C23C28/00 ,  C23C28/042 ,  C25D11/02 ,  C25D11/04 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/16 ,  C25D11/18 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 提供一种使抑制反应生成物堆积到半导体或平板显示器制造装置等的处理室内壁等上、因内壁等的腐蚀造成的金属污染、放出气体造成的工艺不稳定性等多个工艺成为可能的多功能制造装置系统及用于该系统的保护皮膜构造。在金属材料的表面上具有作为基底层的第1皮膜层，再形成200μm左右的第2皮膜层，该第1皮膜层具有通过母材的直接氧化形成的1μm以下膜厚的氧化物皮膜。通过该构成，可以使第2层的保护膜对离子和自由基具有耐蚀性，使第1层的氧化物皮膜起到防止因分子和离子扩散到第2层保护膜中使母材金属表面受到腐蚀的保护层的效果，降低各金属构件、工艺腔内表面对基板造成的金属污染。可以抑制因母材和第2层的保护膜界面的腐蚀造成的第2层保护膜密着力下降而导致的第2层保护膜的剥离。

公开(公告)号：CN1639846A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03804802.7

申请日：2003-01-27

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 池本慎 ,  河瀬康弘 ,  森永均

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  C11D1/72

CPC classification number: C11D3/042 ,  C11D1/72 ,  C11D3/2075 ,  C11D11/0047

Abstract: 至少含有以下的成分(A)、(B)及(C)的半导体器件用基板的清洗液和使用该清洗液的清洗方法。成分(A)：含有可有取代基(除苯基外)的烃基和聚氧化乙烯基，且烃基中的碳原子数(m)与聚氧化乙烯基中的氧化乙烯基数(n)的比(m/n)是1～1.5、碳原子数(m)是9或9以上、氧化乙烯基数(n)是7或7以上的环氧乙烷型表面活性剂。成分(B)：水。成分(C)：碱或有机酸。上述的清洗液不腐蚀基板表面，通过清洗除去粘在基板表面上的微粒或有机污染，将基板表面高度地清洁化。