公开(公告)号：CN1514807A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN02811728.X

申请日：2002-06-07

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 石川诚 ,  齐藤范之 ,  三好胜

IPC: C01F17/00 ,  C23F1/26 ,  C23F1/46

CPC classification number: C01F17/0012

Abstract: 本发明的课题是从含铈溶液以高收率在短时间内回收高纯度铈化合物的方法，具体地提供从蚀刻废液等的含有铈的酸性水溶液以硝酸铵铈(IV)的形式回收铈的方法。本发明的硝酸铵铈((IV))的制造方法是从至少含有三价铈、四价铈、铵离子和硝酸的酸性水溶液中制造硝酸铵铈(IV)的方法，其特征在于该酸性水溶液含有在pH2以下的氧化电位为0.7～1.6V的金属，提高该酸性水溶液中的硝酸浓度，析出硝酸铵铈(IV)结晶。

公开(公告)号：CN1294631C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN02160227.1

申请日：2002-11-28

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  夏普公司

Inventor： 铃木芳英 ,  泽井敬一 ,  齐藤范之 ,  三好胜 ,  石川诚

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/10

CPC classification number: C23F1/14 ,  C11D1/523 ,  C11D7/10 ,  C11D7/261 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/32134

Abstract: 一种蚀刻液，含作为溶质的碘、碘化物和醇，和诸如水这样的溶剂。该蚀刻液均匀蚀刻在半导体器件或液晶装置用基片的表面上形成的金或金合金层。在该层上形成多个金或金合金柱。用该蚀刻液几乎不蚀刻这些柱。该蚀刻液均匀蚀刻柱之间存在的金或金合金层。该蚀刻液可以进一步含表面活性剂。

公开(公告)号：CN1421906A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02160227.1

申请日：2002-11-28

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  夏普公司

Inventor： 铃木芳英 ,  泽井敬一 ,  齐藤范之 ,  三好胜 ,  石川诚

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/10

CPC classification number: C23F1/14 ,  C11D1/523 ,  C11D7/10 ,  C11D7/261 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/32134

Abstract: 一种蚀刻液，含作为溶质的碘、碘化物和醇，和诸如水这样的溶剂。该蚀刻液均匀蚀刻在半导体器件或液晶装置用基片的表面上形成的金或金合金层。在该层上形成多个金或金合金柱。用该蚀刻液几乎不蚀刻这些柱。该蚀刻液均匀蚀刻柱之间存在的金或金合金层。该蚀刻液可以进一步含表面活性剂。