公开(公告)号：CN1255864C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN02141824.1

申请日：2002-07-23

Applicant: 索尼公司 ,  STLCD株式会社 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 宗像昌树 ,  小松洋仁 ,  公文哲史 ,  寺本和真 ,  合田信弘 ,  元井政和 ,  齐藤范之 ,  榊原利明 ,  石川诚

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/30

Abstract: 在基体上的银或银合金薄层通过蚀刻液而均匀地被蚀刻，而不产生蚀刻残留，同时可避免由于过度腐蚀导致的侧面腐蚀。该蚀刻液含有0.005～1重量%的银离子。蚀刻液供入罐或蚀刻液供料设备中，而后使之与基体上的银或银合金薄层接触。

公开(公告)号：CN1399317A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：CN02141824.1

申请日：2002-07-23

Applicant: 索尼公司 ,  STLCD株式会社 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 宗像昌树 ,  小松洋仁 ,  公文哲史 ,  寺本和真 ,  合田信弘 ,  元井政和 ,  齐藤范之 ,  榊原利明 ,  石川诚

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/30

Abstract: 在基体上的银或银合金薄层通过蚀刻液而均匀地被蚀刻，而不产生蚀刻残留，同时可避免由于过度腐蚀导致的侧面腐蚀。该蚀刻液含有0.005～1重量％的银离子。蚀刻液供入罐或蚀刻液供料设备中，而后使之与基体上的银或银合金薄层接触。