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公开(公告)号：CN1258252C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN01812964.1
申请日：2001-06-21
申请人： 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
CPC分类号： H01L33/62 , H01L2224/48247 , H01L2924/01021 , H01L2924/01039 , H01L2924/01079 , H01S5/02244 , H01S5/02248 , H01S5/02469 , H01S5/0683
摘要： 一种半导体激光器件，包括：一个半导体激光元件；一个框，带有一个其中布置元件的元件布置部分；及一种树脂，粘结到框上，其中框带有一个较厚部分和一个较薄部分，形成较厚部分以便至少在树脂的宽度方向上延伸，覆盖具有等于或大于这个宽度的长度的区域。由此，框的厚壁构造改进散热和强度。而且，它稳定定位基准平面和改进附着精度。
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公开(公告)号：CN1443385A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN01812964.1
申请日：2001-06-21
申请人： 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
CPC分类号： H01L33/62 , H01L2224/48247 , H01L2924/01021 , H01L2924/01039 , H01L2924/01079 , H01S5/02244 , H01S5/02248 , H01S5/02469 , H01S5/0683
摘要： 一种半导体激光器件，包括：一个半导体激光元件；一个框，带有一个其中布置元件的元件布置部分；及一种树脂，粘结到框上，其中框带有一个较厚部分和一个较薄部分，形成较厚部分以便至少在树脂的宽度方向上延伸，覆盖具有等于或大于这个宽度的长度的区域。由此，框的厚壁构造改进散热和强度。而且，它稳定定位基准平面和改进附着精度。
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公开(公告)号：CN102545055A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210073325.3
申请日：2008-09-25
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01S5/18 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02208 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02292 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S5/42
摘要： 本发明提供一种能抑制制造工艺复杂化且能抑制发光效率降低的氮化物类半导体发光二极管及其制造方法。该氮化物类半导体发光二极管包括：基板，其在主表面上形成有凹部；和氮化物类半导体层，其在所述主表面上具有发光层，并且包含以所述凹部的一内侧面为起点而形成的由(000-1)面构成的第一侧面、和夹着所述发光层在与所述第一侧面相反侧的区域以所述凹部的另一内侧面为起点而形成的第二侧面。
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公开(公告)号：CN1744398B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200510093867.7
申请日：2005-08-31
申请人： 三洋电机株式会社
CPC分类号： H01S5/4025 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种半导体激光装置中使用的一芯片半导体激光元件。其中，红色半导体激光元件和红外半导体激光元件层叠在蓝紫色半导体激光元件上。蓝紫色半导体激光元件通过在GaN基板上形成半导体层来制造。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件分别通过在GaAs基板上形成半导体层来制造。GaAs的弹性模量比GaN的弹性模量小。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的长度分别比蓝紫色半导体激光元件的长度长。
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公开(公告)号：CN101809833A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108937.3
申请日：2008-09-25
申请人： 三洋电机株式会社
CPC分类号： H01S5/18 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02208 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02292 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S5/42
摘要： 本发明提供一种能抑制制造工艺复杂化且能抑制发光效率降低的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件(50)包括：氮化物类半导体元件层(23)，形成于基板(21)的由(1-100)面构成的主表面上，具有以(1-100)面为主面的发光层(26)；由(000-1)面构成的端面(50a)，形成于氮化物类半导体元件层(23)的包含发光层(26)的区域的端部，沿相对于发光层(26)的主面((1-100)面)大致垂直方向延伸；反射面(50c)，形成于与由(000-1)面构成的端面(50a)相对的区域，由氮化物类半导体元件层(23)的生长面构成，沿相对于端面(50a)倾斜角度θ1(约62°)的方向延伸。
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公开(公告)号：CN101499621A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910126754.0
申请日：2009-01-21
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01S5/02
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/2201
摘要： 本发明提供半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：基板；和在基板的表面上形成的、具有在与表面平行的第一方向上延伸的光波导的半导体层，光波导在与表面平行且与第一方向交叉的第二方向上，形成于从半导体激光元件的中央部偏向一侧的区域中，在半导体激光元件的上表面上形成有第一区域和第一凹部，该第一区域位于与光波导的上述一侧相反的一侧，与光波导分开并与第一方向平行地延伸，该第一凹部在光波导的端面的延长线上，与光波导分开并与第一区域交叉，并且在第二方向上延伸，第一区域中的半导体层的厚度小于第一区域以外的区域中的半导体层的厚度。
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公开(公告)号：CN101262118A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810096362.X
申请日：2008-03-06
申请人： 三洋电机株式会社
摘要： 本发明提供一种半导体激光元件的制作方法和半导体激光元件，即使在使半导体激光元件部的宽度较小的情况下，也能够抑制半导体激光元件的处理(handling)变难的情况。该半导体激光元件的制造方法包括：在第一基板上，在与谐振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔着规定的间隔形成多个第一半导体激光元件部的工序；将多个第一半导体激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序；将接合在第二基板上的多个第一半导体激光元件部中的一部分从第一基板剥离的工序；和沿第二方向分割第二基板的工序。
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公开(公告)号：CN101202421A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710186168.6
申请日：2007-11-30
申请人： 三洋电机株式会社
摘要： 本发明提供一种氮化物类半导体元件，该氮化物类半导体元件包括：由氮化物类半导体构成的基板；在基板上形成的、由形成有向第一方向延伸的光波导的氮化物类半导体构成的氮化物类半导体层；在至少除光波导的端面附近以外的区域，沿光波导延伸的第一方向，在与基板的形成有氮化物类半导体层的一侧相反的一侧的表面上形成的第一台阶部。
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公开(公告)号：CN101030696A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710092367.0
申请日：2007-02-28
申请人： 三洋电机株式会社
摘要： 本发明的半导体激光元件，包括：由沿规定方向延伸的凸部和设置在所述凸部的宽度方向外侧的平坦部构成，且在基板上形成的半导体层；在所述平坦部的上面和所述凸部的侧面上形成的绝缘层；以及由沿所述规定方向设置在所述凸部上的第一部分和包含自所述第一部分向所述凸部的宽度方向外侧突出的多个突出部的第二部分构成的电极，其中所述凸部是从所述电极注入电流的电流注入区域，所述多个突出部设置在所述绝缘层上，在所述多个突出部之间设置有露出所述绝缘层的间隙。
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公开(公告)号：CN1838494A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610067416.0
申请日：2006-03-27
申请人： 三洋电机株式会社
CPC分类号： H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
摘要： 半导体激光装置的蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点，配置成按该顺序沿Y方向大致排列在直线上。从蓝紫色发光点发射的蓝紫色激光和从红色发光点发射的红色激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4片、物镜、柱面透镜和光轴校正元件构成的光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向同一个光检测器。从红外发光点发射的红外激光，通过上述光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向光检测器。
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