发明授权
CN1744398B 半导体激光装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体激光装置及其制造方法
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申请号： CN200510093867.7申请日： 2005-08-31
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公开(公告)号： CN1744398B公开(公告)日： 2012-02-15
- 发明人: 畑雅幸 , 别所靖之 , 野村康彦 , 庄野昌幸
- 申请人： 三洋电机株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 三洋电机株式会社
- 当前专利权人： 三洋电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 2004-253048 2004.08.31 JP
- 主分类号： H01S5/40
- IPC分类号： H01S5/40 ; H01S5/10 ; H01S5/022
摘要：
本发明提供一种半导体激光装置中使用的一芯片半导体激光元件。其中，红色半导体激光元件和红外半导体激光元件层叠在蓝紫色半导体激光元件上。蓝紫色半导体激光元件通过在GaN基板上形成半导体层来制造。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件分别通过在GaAs基板上形成半导体层来制造。GaAs的弹性模量比GaN的弹性模量小。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的长度分别比蓝紫色半导体激光元件的长度长。
公开/授权文献
- CN1744398A 半导体激光装置及其制造方法 公开/授权日：2006-03-08
