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公开(公告)号：CN1706081A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001367.X
申请日：2004-04-23
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/0222
Abstract: 提供了一种半导体激光器件(1)，包括在气密密封的封装(2)之中的半导体激光器元件(3)，所述半导体激光器元件具有由基于AlGaAs的晶体、基于AlGaInP的晶体、基于AlGaN的晶体、或基于InGaN的晶体组成的有源区。封装(2)中的环境气体是含氧的气体。半导体激光器元件(3)在激光发射表面具有介电氧化膜。环境气体是氧和氮的混合物，并且氧的含量被设定在20％或更高。
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公开(公告)号：CN1324773C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200480001367.X
申请日：2004-04-23
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/0222
Abstract: 提供了一种半导体激光器件(1)，包括在气密密封的封装(2)之中的半导体激光器元件(3)，所述半导体激光器元件具有由基于AlGaAs的晶体、基于AlGaInP的晶体、基于AlGaN的晶体、或基于InGaN的晶体组成的有源区。封装(2)中的环境气体是含氧的气体。半导体激光器元件(3)在激光发射表面具有介电氧化膜。环境气体是氧和氮的混合物，并且氧的含量被设定在20%或更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102457016A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110304264.2
申请日：2011-10-10
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋光学设计株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置及光装置。所述半导体激光装置的制造方法包括：形成具有第一电极的第一半导体激光元件的工序；形成具有第二电极的第二半导体激光元件的工序；在基台的第三电极上隔着第一阻挡层形成具有第一熔点的第一焊料层的工序；在基台的第四电极上隔着第二阻挡层形成具有第二熔点的第二焊料层的工序；使第一电极和第一焊料层反应而形成具有比第二熔点高的第三熔点的第一反应焊料层，且经由第一反应焊料层将第一电极和第三电极接合的工序；在接合第一电极和第三电极的工序之后，以第一加热温度进行加热使具有第二熔点的第二焊料层熔解而将第二电极和第四电极接合的工序。
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公开(公告)号：CN102386559A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110204953.6
申请日：2011-07-21
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋光学设计株式会社
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/4087 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/024 , H01S5/0425 , H01S5/32325 , H01S5/32341 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置及光装置。所述半导体激光装置的制造方法包括：在第一电极上形成第一焊料层的工序；在第二电极上隔着阻挡层而形成具有第二熔点的第二焊料层的工序；使具有第一熔点的第一焊料层与第一电极反应而形成具有比第二熔点高的第三熔点的反应焊料层，且经由反应焊料层而在基台上接合第一半导体激光元件的工序；在接合第一半导体激光元件的工序后，使具有第二熔点的第二焊料层熔解而接合第二半导体激光元件的工序。
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公开(公告)号：CN102377110A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110240852.4
申请日：2011-08-22
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋光学设计株式会社
CPC classification number: H01S5/4087 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/024 , H01S5/0425 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置及光装置。所述半导体激光装置具备：基台，其包括台阶部、台阶部的下侧的第一上表面、台阶部的上侧的第二上表面；第一半导体激光元件，其接合在第一上表面上，且在上侧具有第一发光区域；第二半导体激光元件，其接合在第二上表面上，且在下侧具有第二发光区域。并且，在基台水平配置的状态下，第一发光区域位于比第二上表面靠上方的位置。
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公开(公告)号：CN102005698A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010264997.3
申请日：2010-08-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/3202 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种能够抑制半导体激光元件的大型化，并且抑制发光部间隔变大，提高生产率的半导体激光装置。该半导体激光装置具备：第一半导体激光元件；第二半导体激光元件，其是单片型的多波长半导体激光元件。第二半导体激光元件包括半导体基板，第二半导体激光元件的半导体基板的侧面中的与第一半导体激光元件相对置的侧面相对于半导体基板的主面的法线方向倾斜成随着离开搭载部件而与第一半导体激光元件的距离变大。
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公开(公告)号：CN101958508A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010280706.X
申请日：2010-07-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G11B7/1275 , B82Y20/00 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/22 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 本发明的半导体激光器件具有：具有主面的支承部件；经第一接合层接合在主面上的第一半导体激光元件；经第二接合层与第一半导体激光元件相邻地接合在主面上的第二半导体激光元件。另外，第二接合层的熔点低于第一接合层的熔点，从主面到第二半导体激光元件的第四表面的第一高度大于从主面到第一半导体激光元件的第二表面的第二高度。
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