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公开(公告)号：CN102457016A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110304264.2
申请日：2011-10-10
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋光学设计株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置及光装置。所述半导体激光装置的制造方法包括：形成具有第一电极的第一半导体激光元件的工序；形成具有第二电极的第二半导体激光元件的工序；在基台的第三电极上隔着第一阻挡层形成具有第一熔点的第一焊料层的工序；在基台的第四电极上隔着第二阻挡层形成具有第二熔点的第二焊料层的工序；使第一电极和第一焊料层反应而形成具有比第二熔点高的第三熔点的第一反应焊料层，且经由第一反应焊料层将第一电极和第三电极接合的工序；在接合第一电极和第三电极的工序之后，以第一加热温度进行加热使具有第二熔点的第二焊料层熔解而将第二电极和第四电极接合的工序。
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公开(公告)号：CN102386559A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110204953.6
申请日：2011-07-21
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋光学设计株式会社
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/4087 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/024 , H01S5/0425 , H01S5/32325 , H01S5/32341 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置及光装置。所述半导体激光装置的制造方法包括：在第一电极上形成第一焊料层的工序；在第二电极上隔着阻挡层而形成具有第二熔点的第二焊料层的工序；使具有第一熔点的第一焊料层与第一电极反应而形成具有比第二熔点高的第三熔点的反应焊料层，且经由反应焊料层而在基台上接合第一半导体激光元件的工序；在接合第一半导体激光元件的工序后，使具有第二熔点的第二焊料层熔解而接合第二半导体激光元件的工序。
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公开(公告)号：CN102377110A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110240852.4
申请日：2011-08-22
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋光学设计株式会社
CPC classification number: H01S5/4087 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/024 , H01S5/0425 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置及光装置。所述半导体激光装置具备：基台，其包括台阶部、台阶部的下侧的第一上表面、台阶部的上侧的第二上表面；第一半导体激光元件，其接合在第一上表面上，且在上侧具有第一发光区域；第二半导体激光元件，其接合在第二上表面上，且在下侧具有第二发光区域。并且，在基台水平配置的状态下，第一发光区域位于比第二上表面靠上方的位置。
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公开(公告)号：CN1868097A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480030153.5
申请日：2004-10-12
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/4031 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/30107 , H01S5/02208 , H01S5/02244 , H01S5/02469 , H01S5/4087 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种双光束半导体激光器(10)，具备在衬底(51)上一体地设置可独立地驱动的第1、第2半导体激光元件(LD1、LD2)的双光束半导体激光元件(LDC)和基座(53)，在该基座(53)中，在前部安装使射出侧朝向前方的双光束半导体激光元件(LDC)，同时具有分别与第1、第2半导体激光元件(LD1、LD2)的电极(61、62)相接而连接的第1、第2电极焊盘(64、65)，在该双光束半导体激光器(10)中，在双光束半导体激光元件(LDC)的后方延伸地形成第1、第2电极焊盘(64、65)，在双光束半导体激光元件(LDC)的后方对键合丝(14、16)进行键合丝键合。
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公开(公告)号：CN100416952C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200480030350.7
申请日：2004-10-12
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02244 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01S5/02208 , H01L2924/00014
Abstract: 在具备半导体激光元件(14)、在表面上配置半导体激光元件(14)的框(12)和覆盖框(12)的表面和背面的树脂成形部(15)的半导体激光器(10)中，在框(12)的表面一侧，在利用树脂成形部(15)的框部(15b)包围半导体激光元件(14)的周围的同时具有开放树脂成形部(15)的前方的激光射出窗(15a)，在框(12)的背面一侧，具有利用开放前方的树脂成形部(15)的框部(15d)以コ字状包围周围以露出框(12)的露出部(16e)。
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公开(公告)号：CN1868098A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480030350.7
申请日：2004-10-12
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02244 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01S5/02208 , H01L2924/00014
Abstract: 在具备半导体激光元件(14)、在表面上配置半导体激光元件(14)的框(12)和覆盖框(12)的表面和背面的树脂成形部(15)的半导体激光器(10)中，在框(12)的表面一侧，在利用树脂成形部(15)的框部(15b)包围半导体激光元件(14)的周围的同时具有开放树脂成形部(15)的前方的激光射出窗(15a)，在框(12)的背面一侧，具有利用开放前方的树脂成形部(15)的框部(15d)以コ字状包围周围以露出框(12)的露出部(16e)。
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公开(公告)号：CN100502177C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200480030153.5
申请日：2004-10-12
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/4031 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/30107 , H01S5/02208 , H01S5/02244 , H01S5/02469 , H01S5/4087 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种双光束半导体激光器(10)，具备在衬底(51)上一体地设置可独立地驱动的第1、第2半导体激光元件(LD1、LD2)的双光束半导体激光元件(LDC)和基座(53)，在该基座(53)中，在前部安装使射出侧朝向前方的双光束半导体激光元件(LDC)，同时具有分别与第1、第2半导体激光元件(LD1、LD2)的电极(61、62)相接而连接的第1、第2电极焊盘(64、65)，在该双光束半导体激光器(10)中，在双光束半导体激光元件(LDC)的后方延伸地形成第1、第2电极焊盘(64、65)，在双光束半导体激光元件(LDC)的后方对键合丝(14、16)进行键合丝键合。
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