公开(公告)号：CN1706081A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200480001367.X

申请日：2004-04-23

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  鸟取三洋电机株式会社

Inventor： 渡边将司 ,  本多正治 ,  岩村康弘 ,  清水源 ,  井上哲郎

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02212 ,  H01S5/0222

Abstract: 提供了一种半导体激光器件(1)，包括在气密密封的封装(2)之中的半导体激光器元件(3)，所述半导体激光器元件具有由基于AlGaAs的晶体、基于AlGaInP的晶体、基于AlGaN的晶体、或基于InGaN的晶体组成的有源区。封装(2)中的环境气体是含氧的气体。半导体激光器元件(3)在激光发射表面具有介电氧化膜。环境气体是氧和氮的混合物，并且氧的含量被设定在20％或更高。

公开(公告)号：CN1324773C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200480001367.X

申请日：2004-04-23

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  鸟取三洋电机株式会社

Inventor： 渡边将司 ,  本多正治 ,  岩村康弘 ,  清水源 ,  井上哲郎

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02212 ,  H01S5/0222

Abstract: 提供了一种半导体激光器件(1)，包括在气密密封的封装(2)之中的半导体激光器元件(3)，所述半导体激光器元件具有由基于AlGaAs的晶体、基于AlGaInP的晶体、基于AlGaN的晶体、或基于InGaN的晶体组成的有源区。封装(2)中的环境气体是含氧的气体。半导体激光器元件(3)在激光发射表面具有介电氧化膜。环境气体是氧和氮的混合物，并且氧的含量被设定在20%或更高。