公开(公告)号：CN105489853A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510644729.7

申请日：2015-10-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 李炳善 ,  郑熙澈 ,  李康熙 ,  朴晋焕 ,  郑昌勋 ,  金起弘 ,  姜润锡 ,  金东泳

IPC: H01M4/36 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/364 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M4/139 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/463 ,  H01M4/485 ,  H01M4/587 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/027 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及复合负极活性材料及其制备方法、负极和锂二次电池。复合负极活性材料包括：压电材料；和负极活性材料。另外，负极包括所述复合负极活性材料，和锂二次电池包括所述负极。

公开(公告)号：CN105489853B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201510644729.7

申请日：2015-10-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 李炳善 ,  郑熙澈 ,  李康熙 ,  朴晋焕 ,  郑昌勋 ,  金起弘 ,  姜润锡 ,  金东泳

IPC: H01M4/36 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/364 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M4/139 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/463 ,  H01M4/485 ,  H01M4/587 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/027

Abstract: 本发明涉及复合负极活性材料及其制备方法、负极和锂二次电池。复合负极活性材料包括：压电材料；和负极活性材料。另外，负极包括所述复合负极活性材料，和锂二次电池包括所述负极。

公开(公告)号：CN117389943A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310788837.6

申请日：2023-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜甫暻 ,  金起弘 ,  朴俊荣 ,  朴镇燮 ,  吴在根 ,  张英梓

IPC: G06F15/78 ,  G06F21/60

Abstract: 提供片上系统和包括片上系统的电子装置。片上系统包括主机中央处理器(CPU)和安全元件，其中，安全元件包括：主要装置，被配置为发送加密的数据；内部总线，被配置为发送加密的数据；多个次要装置，被配置为接收加密的数据；以及安全CPU，被配置为管理指示主要装置访问所述多个次要装置的授权的访问密钥，并且内部总线基于访问密钥从所述多个次要装置之中设置加密的数据将被发送到的次要装置，并且通过使用错误检测标签将加密的数据发送到设置的次要装置。

公开(公告)号：CN1154511A

公开(公告)日：1997-07-16

申请号：CN96112424.5

申请日：1996-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起弘

IPC: G06F12/00

CPC classification number: G06F5/14

Abstract: 一种用于输出输入与输出数据的规模相异的数据的先入先出存贮器件，包括：数据输入单元、指针产生单元、缓冲单元、数据输出单元和标记产生单元。其特征是：根据由输入数据和输出数据的规模确定的外部模式控制信号来预置输入数据的规模并产生读写指针，同时或交替地在写指针指出的缓冲单元的存贮区域上写入输入数据或根据读指针读出已写入的具有该模式控制信号所确定的格式的输出数据，并产生表示写入数据量的标记。

公开(公告)号：CN1722459A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510084649.7

申请日：2005-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永薰 ,  李受哲 ,  金起弘 ,  安正 ,  李容济 ,  裵贞勋 ,  黄圣仁 ,  安有真 ,  金范锡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器，其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方，且它至少部分地从主像素阵列区去除，使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除，获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。

公开(公告)号：CN107979586A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710982711.7

申请日：2017-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起弘 ,  韩珉子

IPC: H04L29/06 ,  H04L9/32 ,  G06Q20/38

Abstract: 一种安全元件，包括存储设备，被配置为存储安全数据；第一接口，被配置为从外部输入设备接收用户输入；处理器，被配置为基于所述用户输入执行用户认证，并在用户认证成功时激活所述存储设备；以及第二接口，被配置为向外部处理器发送基于所述安全数据的安全信息。

公开(公告)号：CN1163432A

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN96112438.5

申请日：1996-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起弘

IPC: G06F12/00

Abstract: 一种RAM数据传送装置，包括RAM；含有预置存储区的先进先出存储器，响应写启动信号依次写入RAM中的RAM数据，和如RAM数据写入比存储区要小的第一区时，产生第一标记，如写入比存储区要小和比第一区要大的第二区时，产生第二标记和如果没有RAM数据写入时，产生第三标记；控制器，用于如产生第一标记时，产生写启动信号直到产生第二标记；数据存取电路，用于如产生第二标记时，连续存取写入在FIFO存储器中的RAM数据直到产生第三标记时为止。

公开(公告)号：CN118159034A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311674381.7

申请日：2023-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润姓 ,  许镇盛 ,  金起弘 ,  崔德铉 ,  李泫宰 ,  赵常玹

IPC: H10B51/30 ,  H10B51/20 ,  H10B51/10

Abstract: 本发明涉及包括铁电薄膜的电子器件、半导体器件和制造铁电薄膜的方法。电子器件可包括导电材料层、覆盖所述导电材料层的铁电层、以及覆盖所述铁电层的电极。所述铁电层可包括由HfxAyOz表示的化合物，其中0≤x≤1，0≤y≤1，且2(x+y)

公开(公告)号：CN105743653A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201511010067.4

申请日：2015-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容勺 ,  康珉洙 ,  金起弘 ,  李制相 ,  韩珉子

IPC: H04L9/32

Abstract: 提供一种用户认证方法以及执行用户认证的电子装置。提供一种用户认证方法以及执行该方法的电子装置。所述方法在处理器的控制下被执行，所述方法包括：为了识别用户而输入用户认证请求；生成与用户认证请求中的基于知识的认证信息相应的随机数数据；通过将用户认证请求中的基于生物测定学的认证信息与随机数数据结合，来生成认证码；基于认证码处理用户认证请求。

公开(公告)号：CN101241752B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN200810085618.7

申请日：2008-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起弘 ,  李炳勋 ,  李承源 ,  金善券

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G11C16/20

Abstract: 本发明提出了一种存储卡和包含所述存储卡的存储系统。所述存储卡包括：第一存储芯片，响应所有外部输入命令；以及第二存储芯片，响应于外部输入命令中与数据的读取、编程、以及擦除操作相关的命令。存储在第一存储芯片内的卡识别信息包括与所述第一和第二存储芯片大小之和相对应的容量信息。存储卡的多个存储芯片在设计各种形式存储容量的存储卡时很有用。