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公开(公告)号：CN118430628A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410117117.1
申请日：2024-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种修复电路，包括：第一故障地址锁存器，配置为锁存与第一存储体对应的第一故障地址和第二故障地址；第二故障地址锁存器，配置为锁存与不同于第一存储体的第二存储体对应的第三故障地址和第四故障地址；故障地址复用器，配置为将第一故障地址和第三故障地址合并为第一合并地址，并将第二故障地址和第四故障地址合并为第二合并地址；比较电路，配置为将第一合并地址和第二合并地址与合并解码行地址进行比较，以生成第一命中信号和第二命中信号；逻辑运算器，配置为基于第一命中信号和第二命中信号输出有效命中预信号；以及有效命中锁存器，配置为基于有效命中预信号输出有效命中信号。
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公开(公告)号：CN116206644A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210811768.1
申请日：2022-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408 , G06F3/06
Abstract: 一种半导体存储器件包括：命令和地址生成器，被配置为对命令进行解码以生成激活命令，并且生成与激活命令一起施加的地址作为行地址；控制信号生成器，被配置为：响应于激活命令而生成根据随机序列而改变的序列数据，并且当序列数据等于先前存储的比较数据时生成随机选取信号；以及存储单元阵列，包括奇数页存储单元阵列和偶数页存储单元阵列，奇数页存储单元阵列包括多个第一存储单元，偶数页存储单元阵列包括多个第二存储单元，并且该存储单元阵列被配置为：当响应于激活命令而激活随机选取信号时，响应于行地址而对所选择的第一存储单元和所选择的第二存储单元同时执行激活操作和隐藏锤刷新操作。
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公开(公告)号：CN117789785A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310982858.1
申请日：2023-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408
Abstract: 一种存储器件包括执行每存储体刷新(PBR)操作的多个存储体以及向多个存储体中的两个存储体提供单个行地址信号的地址寄存器，该两个存储体同时执行PBR操作并且单个行地址信号由该两个存储体共享。该两个存储体基于单个解码行地址信号来激活每个存储单元阵列的字线，该单个解码行地址信号基于单个行地址信号来产生。
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公开(公告)号：CN116798473A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210960527.3
申请日：2022-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪昇基
IPC: G11C11/406 , G11C11/409
Abstract: 提供一种存储器装置及其刷新方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个行；以及刷新控制电路，包括多个寄存器，每个寄存器被配置为存储行地址。刷新控制电路被配置为：基于到达的行地址满足替换条件，在第一确定中，基于替换概率确定是否将存储在所述多个寄存器之中的第一寄存器中的第一行地址替换为到达的行地址；基于第一确定的第一结果，保持存储在第一寄存器中的第一行地址，或者将存储在第一寄存器中的第一行地址替换为到达的行地址；并且在第二确定中，基于存储在所述多个寄存器之中的第二寄存器中的第二行地址，确定待刷新的牺牲行地址。
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公开(公告)号：CN119274634A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410069770.5
申请日：2024-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42 , G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列、纠错码(ECC)引擎、错误检查和清洗(ECS)电路、行锤击管理电路和刷新控制电路。ECC引擎基于ECC解码的结果生成错误生成信号。ECS电路生成清洗地址并基于错误生成信号输出清洗地址中的至少一个清洗地址作为错误地址。行锤击管理电路将具有第一逻辑电平的错误标志存储在计数单元中，基于错误标志的逻辑电平将计数值与不同参考次数进行比较，并且输出锤击地址。刷新控制电路接收锤击地址并且对物理上邻近于与锤击地址对应的存储器单元行的个或多个牺牲存储器单元行执行锤击刷新操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119068943A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410624937.X
申请日：2024-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C8/10 , G11C8/08
Abstract: 提供存储器装置和用于对其地址进行解码的方法，所述存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元组；中间块，被配置为对行地址进行解码，并且被配置为输出激活块标志和解码后的行地址；以及行解码器，被配置为基于激活块标志和解码后的行地址来选择连接到存储器单元阵列的多条字线中的字线。行解码器可被配置为基于接收的激活请求来将行解码器的一部分从非激活状态转换为激活状态，以激活所述多个存储器单元组之中的被选的存储器单元组，被选的存储器单元组与激活块标志对应，并且行解码器可被配置为基于解码后的行地址来选择连接到被选的存储器单元组的多条字线中的所述字线。
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公开(公告)号：CN117612583A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310912328.X
申请日：2023-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/408 , G11C11/409 , G11C11/4074
Abstract: 提供存储器装置及操作其的方法。所述操作存储器装置的方法包括：将一对真位线和互补位线(BL/BLB)预充电到等效电压，同时将一对真感测位线和互补感测位线(SABL/SABLB)预充电到等效电压，然后将与偏移噪声相关联的电荷从BL转移到SABLB，同时将与偏移噪声相关联的电荷从BLB转移到SABL，使得电压差在SABL与SABLB之间被建立。接下来，连接到BL的存储器单元的逻辑状态通过在存储器单元与BL之间转移电荷而被读取，同时对SABL和SABLB上的电压进行平衡。然后，SABL和SABLB之间的电压差响应于激活感测放大器内的放大器电路而被感测和放大。
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公开(公告)号：CN118553281A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311400370.X
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063
Abstract: 公开了半导体存储器装置及其自刷新方法，所述方法包括：生成指示半导体存储器装置的温度的温度码；生成指示半导体存储器装置的存储器区域中的任何数据错误的第一错误标志；基于温度码和第一错误标志在第一刷新周期内对存储器区域执行第一自刷新操作；生成指示在第一自刷新操作期间存储器区域中的任何数据错误的第二错误标志；以及基于温度码和第二错误标志在第二刷新周期内对存储器区域执行第二自刷新操作，其中，如果第二错误标志指示在第一自刷新操作期间在存储器区域中无数据错误，则第二刷新周期长于第一刷新周期。
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公开(公告)号：CN117727350A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310696812.3
申请日：2023-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪昇基
IPC: G11C11/408 , G11C11/4072
Abstract: 提供了存储器设备和对解码的行地址进行预充电的方法。存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括多个行；行解码器，被配置为基于解码的行地址从多个行当中选择要激活的行；以及接口电路，被配置为：基于解码行地址的多个位来生成解码的行地址，将解码的行地址传送到行解码器，在存储器设备的第一模式中，对被传送到行解码器的解码的行地址进行预充电，并且在存储器设备的第二模式中，确定在第二模式中是否接收到预充电信号，并且基于预充电信号对解码的行地址进行预充电。
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公开(公告)号：CN115938421A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211022435.7
申请日：2022-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器设备包括存储器单元阵列、行选择电路、刷新控制器和存储器控制逻辑。所述存储器单元阵列包括以行和列布置的存储器单元。所述行选择电路连接到所述行。所述刷新控制器控制所述行选择电路以将刷新操作电压施加到一个或多个行。所述存储器控制逻辑对从存储器控制器接收的命令进行解码并且输出刷新命令和外部刷新地址信息。所述刷新控制器基于从所述存储器控制器输出的所述刷新命令并基于所述内部刷新操作的第一行锤击行地址是否与所述外部刷新操作的第二行锤击行地址相同来控制所述行选择电路执行外部刷新操作和内部刷新操作中的一者。
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