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公开(公告)号：CN108255751B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201711394125.7
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/16 , G06F1/3234
Abstract: 提供了用于控制刷新操作的存储器装置及自刷新控制器。所述存储器装置能够降低功耗。所述存储器装置包括：多个存储器单元；以及自刷新控制器，被配置为多次执行刷新循环，所述刷新循环包括第一时间间隔和第二时间间隔，第二时间间隔比第一时间间隔长，其中，自刷新控制器被配置为在第一时间间隔期间执行突发刷新操作，并且在第二时间间隔期间执行供电控制操作。
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公开(公告)号：CN109754832B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201811218388.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 一种半导体存储器件包括：单元阵列，其包括用于存储数据的多个DRAM单元；以及刷新控制逻辑器件，其根据从外部提供的访问场景信息来刷新多个DRAM单元。刷新控制逻辑器件参考访问场景信息和多个DRAM单元的保留特性来确定多个DRAM单元的刷新时间，并根据所确定的刷新时间来刷新多个DRAM单元。
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公开(公告)号：CN108255751A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711394125.7
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/40615 , G11C11/40618 , G11C11/4063 , G11C11/4074 , G11C2211/4067 , G11C2211/4068 , G06F13/1636 , G06F1/3268
Abstract: 提供了用于控制刷新操作的存储器装置及自刷新控制器。所述存储器装置能够降低功耗。所述存储器装置包括：多个存储器单元；以及自刷新控制器，被配置为多次执行刷新循环，所述刷新循环包括第一时间间隔和第二时间间隔，第二时间间隔比第一时间间隔长，其中，自刷新控制器被配置为在第一时间间隔期间执行突发刷新操作，并且在第二时间间隔期间执行供电控制操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107667298A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680030575.5
申请日：2016-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R33/34 , G01R33/341 , A61B5/00 , A61B5/055
CPC classification number: G01R33/34084 , A61B5/004 , A61B5/0555 , A61B5/4312 , A61B5/6804 , A61B5/6823 , A61B5/708 , G01R33/34007 , G01R33/341
Abstract: 本发明提供了一种射频(RF)表面线圈和具有RF表面线圈的磁共振成像(MRI)设备。RF表面线圈包括对应于对象的胸部的第一杯单元和第二杯单元，第一杯单元和第二杯单元可变形为胸部的形状。RF表面线圈还包括设置在第一杯单元和第二杯单元上的RF线圈元件。
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公开(公告)号：CN117612583A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310912328.X
申请日：2023-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/408 , G11C11/409 , G11C11/4074
Abstract: 提供存储器装置及操作其的方法。所述操作存储器装置的方法包括：将一对真位线和互补位线(BL/BLB)预充电到等效电压，同时将一对真感测位线和互补感测位线(SABL/SABLB)预充电到等效电压，然后将与偏移噪声相关联的电荷从BL转移到SABLB，同时将与偏移噪声相关联的电荷从BLB转移到SABL，使得电压差在SABL与SABLB之间被建立。接下来，连接到BL的存储器单元的逻辑状态通过在存储器单元与BL之间转移电荷而被读取，同时对SABL和SABLB上的电压进行平衡。然后，SABL和SABLB之间的电压差响应于激活感测放大器内的放大器电路而被感测和放大。
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公开(公告)号：CN109754832A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811218388.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
CPC classification number: G11C11/40615 , G11C7/1063 , G11C11/40603 , G11C11/40618 , G11C11/40622 , G11C11/40626 , G11C11/4087 , H04N5/3355
Abstract: 一种半导体存储器件包括：单元阵列，其包括用于存储数据的多个DRAM单元；以及刷新控制逻辑器件，其根据从外部提供的访问场景信息来刷新多个DRAM单元。刷新控制逻辑器件参考访问场景信息和多个DRAM单元的保留特性来确定多个DRAM单元的刷新时间，并根据所确定的刷新时间来刷新多个DRAM单元。
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公开(公告)号：CN103578559A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310306175.0
申请日：2013-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/16
CPC classification number: G11C17/16 , G11C11/5692 , G11C17/18 , G11C2211/5624 , G11C2211/563
Abstract: 公开了多电平反熔丝存储器装置及其操作方法。本发明提供了一种反熔丝存储器装置，该反熔丝存储器装置包括反熔丝存储器单元、基准电流产生部件和比较部件。反熔丝存储器单元包括反熔丝。基准电流产生部件提供从多个基准电流中选择的基准电流。比较部件将流过反熔丝的单元电流的强度与基准电流的强度比较并且提供与比较结果对应的输出信号。
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