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公开(公告)号：CN109087681B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201810599590.2
申请日：2018-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/02
Abstract: 提供了存储器设备及其操作方法。存储器设备包括：至少一个内部电路，该内部电路包括存储单元阵列和被配置为驱动存储单元阵列的外围电路；监控逻辑，被配置为监控流入至少一个内部电路的电流并且输出监控结果；检测逻辑，被配置为基于监控结果来检测漏电流是否在至少一个内部电路中流动，并且输出检测的关于漏电流的信息；以及诊断逻辑，被配置为基于检测的信息来诊断至少一个内部电路中的错误。
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公开(公告)号：CN100555449C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510087835.6
申请日：2005-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐恩圣
IPC: G11C11/407 , G11C11/409
CPC classification number: G11C5/14 , G11C11/4074
Abstract: 公开了用于在半导体存储器件中使用内部阵列电压产生器的方法和装置。在一个已描述的实施例中，仅在读出操作之前，使用过激励电平控制电路产生用于内部阵列电压产生器驱动器的过激励控制信号。过激励电平控制电路使用单元模拟电路，以便仅在读出操作之前估计该读出操作所需要的电流，并使用放大器，以便响应于所估计的电流需求产生过激励控制信号。例如，这样一种设计允许过激励信号量跟踪过程、电压和温度的变化，以便提供使内部阵列电压保持稳定的精确的过激励。描述并要求了其它实施例。
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公开(公告)号：CN109754832B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201811218388.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 一种半导体存储器件包括：单元阵列，其包括用于存储数据的多个DRAM单元；以及刷新控制逻辑器件，其根据从外部提供的访问场景信息来刷新多个DRAM单元。刷新控制逻辑器件参考访问场景信息和多个DRAM单元的保留特性来确定多个DRAM单元的刷新时间，并根据所确定的刷新时间来刷新多个DRAM单元。
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公开(公告)号：CN109087681A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810599590.2
申请日：2018-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/02
Abstract: 提供了存储器设备及其操作方法。存储器设备包括：至少一个内部电路，该内部电路包括存储单元阵列和被配置为驱动存储单元阵列的外围电路；监控逻辑，被配置为监控流入至少一个内部电路的电流并且输出监控结果；检测逻辑，被配置为基于监控结果来检测漏电流是否在至少一个内部电路中流动，并且输出检测的关于漏电流的信息；以及诊断逻辑，被配置为基于检测的信息来诊断至少一个内部电路中的错误。
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公开(公告)号：CN100530426C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610087787.5
申请日：2006-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐恩圣
IPC: G11C11/406
CPC classification number: G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C11/40626 , G11C2211/4068
Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器及其刷新时钟信号产生器。该半导体存储器的刷新时钟信号产生器包括：电压产生器，用于接收电源电压以产生低于电源电压的电压；环形振荡器，其响应于自刷新控制信号而被使能，包括奇数数量的至少三个反相器，当半导体存储器的温度高时具有第一电流消耗，当所述温度低时具有第二电流消耗，并且产生其周期随温度降低而增加的时钟信号；电平移动器，用于将具有该低于电源电压的电压的时钟信号转换为具有电源电压的电平的刷新时钟信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1913036A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610087787.5
申请日：2006-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐恩圣
IPC: G11C11/406
CPC classification number: G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C11/40626 , G11C2211/4068
Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器及其刷新时钟信号产生器。该半导体存储器的刷新时钟信号产生器包括：电压产生器，用于接收电源电压以产生低于电源电压的电压；环形振荡器，其响应于自刷新控制信号而被使能，包括奇数数量的至少三个反相器，当半导体存储器的温度高时具有第一电流消耗，当所述温度低时具有第二电流消耗，并且产生其周期随温度降低而增加的时钟信号；电平移动器，用于将具有该低于电源电压的电压的时钟信号转换为具有电源电压的电平的刷新时钟信号。
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公开(公告)号：CN109754832A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811218388.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
CPC classification number: G11C11/40615 , G11C7/1063 , G11C11/40603 , G11C11/40618 , G11C11/40622 , G11C11/40626 , G11C11/4087 , H04N5/3355
Abstract: 一种半导体存储器件包括：单元阵列，其包括用于存储数据的多个DRAM单元；以及刷新控制逻辑器件，其根据从外部提供的访问场景信息来刷新多个DRAM单元。刷新控制逻辑器件参考访问场景信息和多个DRAM单元的保留特性来确定多个DRAM单元的刷新时间，并根据所确定的刷新时间来刷新多个DRAM单元。
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公开(公告)号：CN103377695B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201310146077.5
申请日：2013-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/406
Abstract: 一种存储系统包括存储控制器和至少一个存储器件。所述至少一个存储器件包括刷新请求电路，该刷新请求电路在基于存储单元的数据保持时间（诸如基于存储单元行的各个数据保持时间）的定时生成刷新请求信号。存储控制器响应于所接收的刷新请求信号来调度用于至少一个存储器件的操作命令。
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公开(公告)号：CN103377695A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310146077.5
申请日：2013-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/406
CPC classification number: G11C7/00 , G11C11/40611
Abstract: 一种存储系统包括存储控制器和至少一个存储器件。所述至少一个存储器件包括刷新请求电路，该刷新请求电路在基于存储单元的数据保持时间（诸如基于存储单元行的各个数据保持时间）的定时生成刷新请求信号。存储控制器响应于所接收的刷新请求信号来调度用于至少一个存储器件的操作命令。
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公开(公告)号：CN1734669A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510087835.6
申请日：2005-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐恩圣
IPC: G11C11/407 , G11C11/409
CPC classification number: G11C5/14 , G11C11/4074
Abstract: 公开了用于在半导体存储器件中使用内部阵列电压产生器的方法和装置。在一个已描述的实施例中，仅在读出操作之前，使用过激励电平控制电路产生用于内部阵列电压产生器驱动器的过激励控制信号。过激励电平控制电路使用单元模拟电路，以便仅在读出操作之前估计该读出操作所需要的电流，并使用放大器，以便响应于所估计的电流需求产生过激励控制信号。例如，这样一种设计允许过激励信号量跟踪过程、电压和温度的变化，以便提供使内部阵列电压保持稳定的精确的过激励。描述并要求了其它实施例。
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