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公开(公告)号:CN117612583A
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202310912328.X
申请日:2023-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/408 , G11C11/409 , G11C11/4074
Abstract: 提供存储器装置及操作其的方法。所述操作存储器装置的方法包括:将一对真位线和互补位线(BL/BLB)预充电到等效电压,同时将一对真感测位线和互补感测位线(SABL/SABLB)预充电到等效电压,然后将与偏移噪声相关联的电荷从BL转移到SABLB,同时将与偏移噪声相关联的电荷从BLB转移到SABL,使得电压差在SABL与SABLB之间被建立。接下来,连接到BL的存储器单元的逻辑状态通过在存储器单元与BL之间转移电荷而被读取,同时对SABL和SABLB上的电压进行平衡。然后,SABL和SABLB之间的电压差响应于激活感测放大器内的放大器电路而被感测和放大。