公开(公告)号：CN108255751A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711394125.7

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都成根 ,  李宗浩 ,  李灿勇 ,  张敏洙

IPC: G06F13/16 ,  G06F1/32

CPC classification number: G11C11/40615 ,  G11C11/40618 ,  G11C11/4063 ,  G11C11/4074 ,  G11C2211/4067 ,  G11C2211/4068 ,  G06F13/1636 ,  G06F1/3268

Abstract: 提供了用于控制刷新操作的存储器装置及自刷新控制器。所述存储器装置能够降低功耗。所述存储器装置包括：多个存储器单元；以及自刷新控制器，被配置为多次执行刷新循环，所述刷新循环包括第一时间间隔和第二时间间隔，第二时间间隔比第一时间间隔长，其中，自刷新控制器被配置为在第一时间间隔期间执行突发刷新操作，并且在第二时间间隔期间执行供电控制操作。

公开(公告)号：CN108255751B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201711394125.7

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都成根 ,  李宗浩 ,  李灿勇 ,  张敏洙

IPC: G06F13/16 ,  G06F1/3234

Abstract: 提供了用于控制刷新操作的存储器装置及自刷新控制器。所述存储器装置能够降低功耗。所述存储器装置包括：多个存储器单元；以及自刷新控制器，被配置为多次执行刷新循环，所述刷新循环包括第一时间间隔和第二时间间隔，第二时间间隔比第一时间间隔长，其中，自刷新控制器被配置为在第一时间间隔期间执行突发刷新操作，并且在第二时间间隔期间执行供电控制操作。

公开(公告)号：CN113140243A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202011445270.5

申请日：2020-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都成根 ,  金荣植 ,  韩公钦 ,  金尚玧 ,  赵胜晛

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4074 ,  G11C7/06

Abstract: 提供了用于存储器装置的字线驱动器电路和操作其的方法。所述存储器装置包括字线驱动器电路，字线驱动器电路可使用随着命令变化的较低高电压来有利地减小晶体管上的栅极应力。所述存储器装置包括多个存储器块，响应于块选择信号将高电压或较低高电压提供给可变高电压线，并且基于所述命令将较低高电压的电平改变为低电压电平、中电压电平或高电压电平。所述存储器装置将较低高电压施加到连接到第一字线驱动信号的P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管的栅极，字线驱动信号驱动所述多个存储器块之中的未选择的存储器块的字线。