存储器装置和搜索与当前的PVT对应的最佳校准码的方法

    公开(公告)号:CN118280401A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202311833192.X

    申请日:2023-12-28

    Inventor: 方钟敏

    Abstract: 提供了一种存储器装置和一种使用其的校准方法。该存储器装置包括:温度到码(T2C)转换器,其被配置为获取温度数据,获取规格电压数据,确定对应于获取的温度和规格电压数据的校准码,并被配置为将关于确定的校准码的信息发送到码生成器;码生成器,其被配置为将生成的校准码发送到下拉/上拉设置电路;下拉/上拉设置电路,其被配置为确定多个晶体管的截止和导通以对应于从码生成器接收的校准码,并被配置为形成下拉/上拉阻抗;以及比较器,其被配置为将由下拉/上拉阻抗和片上终端电路(ODT)的阻抗确定的第一输入电压的大小与由电压生成器生成的第二输入电压的大小进行比较,并被配置为基于电压比较的结果将校准码改变信号发送到码生成器。

    执行锤击刷新操作和关联操作的存储器设备和存储器系统

    公开(公告)号:CN108154895B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN201711128750.7

    申请日:2017-11-15

    Inventor: 方钟敏

    Abstract: 一种存储器系统包括存储器控制器和存储器设备。存储器控制器确定并提供锤击地址。锤击地址是具有大于预定阈值的激活数或频率的地址。存储器设备产生表示锤击刷新操作的定时的锤击刷新信号,所述锤击刷新操作用以刷新存储器设备的第一行,所述第一行在物理上邻近与锤击地址相对应的、存储器设备的第二行。存储器设备使用从存储器控制器提供的锤击地址和由存储器设备产生的锤击刷新信号来执行锤击刷新操作。

    具有自适应页大小控制的半导体存储器件

    公开(公告)号:CN106356087A

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201610561657.4

    申请日:2016-07-15

    Inventor: 方钟敏 朴福奎

    Abstract: 公开了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括:存储单元阵列,包括多个页,每个页存储数据;解码器,被配置为解码地址和命令;以及控制电路,被配置为允许根据在打开多个页中的所选页的激活操作模式中根据施加的页大小选择信息来打开所选页的一部分或全部。

    半导体存储器件和具有该半导体存储器件的存储系统

    公开(公告)号:CN116206644A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202210811768.1

    申请日:2022-07-11

    Inventor: 方钟敏 洪昇基

    Abstract: 一种半导体存储器件包括:命令和地址生成器,被配置为对命令进行解码以生成激活命令,并且生成与激活命令一起施加的地址作为行地址;控制信号生成器,被配置为:响应于激活命令而生成根据随机序列而改变的序列数据,并且当序列数据等于先前存储的比较数据时生成随机选取信号;以及存储单元阵列,包括奇数页存储单元阵列和偶数页存储单元阵列,奇数页存储单元阵列包括多个第一存储单元,偶数页存储单元阵列包括多个第二存储单元,并且该存储单元阵列被配置为:当响应于激活命令而激活随机选取信号时,响应于行地址而对所选择的第一存储单元和所选择的第二存储单元同时执行激活操作和隐藏锤刷新操作。

    具有自适应页大小控制的半导体存储器件

    公开(公告)号:CN106356087B

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN201610561657.4

    申请日:2016-07-15

    Inventor: 方钟敏 朴福奎

    Abstract: 公开了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括:存储单元阵列,包括多个页,每个页存储数据;解码器,被配置为解码地址和命令;以及控制电路,被配置为允许根据在打开多个页中的所选页的激活操作模式中根据施加的页大小选择信息来打开所选页的一部分或全部。

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