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公开(公告)号：CN103855194A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310633699.0
申请日：2013-12-02
IPC: H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。
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公开(公告)号：CN103296087A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310038706.2
申请日：2013-01-31
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。
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公开(公告)号：CN116056448A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210556046.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域、外围区域以及位于所述单元区域与所述外围区域之间的边界区域；位线，所述位线设置在所述单元区域上并且在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；位线覆盖图案，所述位线覆盖图案设置在所述位线上；以及边界图案，所述边界图案设置在所述边界区域上。所述位线的端部可以与所述边界图案的第一界面接触，并且所述位线覆盖图案可以包括与所述边界图案相同的材料。
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公开(公告)号：CN116133408A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210579139.0
申请日：2022-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括外围块和单元块，每个单元块包括单元中心区域、单元边缘区域和单元中间区域；以及位线，所述位线在第一方向上在每个单元块上延伸。所述位线包括中心位线、中间位线和边缘位线。所述位线具有在第二方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面。所述第一侧表面在所述单元中心区域、所述单元中间区域和所述单元边缘区域上沿着所述第一方向笔直地延伸。所述第二侧表面在所述单元中心区域和所述单元边缘区域上沿着所述第一方向笔直地延伸，并且所述第二侧表面在所述单元中间区域上沿着与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向延伸。
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公开(公告)号：CN115706054A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210473142.4
申请日：2022-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H10B12/00
Abstract: 公开了半导体存储器件及其制造方法。所述方法包括：提供包括单元阵列区域和边界区域的衬底；在所述单元阵列区域上形成在所述衬底的上部限定有源部分的器件隔离层；在所述边界区域上在所述衬底上形成中间层；在所述衬底上形成电极层，所述电极层在所述边界区域上覆盖所述中间层；在所述电极层上形成覆盖层；形成附加覆盖图案以在所述边界区域上为所述覆盖层提供第一台阶差；以及对所述附加覆盖图案、所述覆盖层和所述电极层执行蚀刻工艺以形成跨过所述有源部分的位线。在所述蚀刻工艺期间，所述电极层在所述单元阵列区域和所述边界区域上同时被暴露。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119545789A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411142046.7
申请日：2024-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路器件及制造集成电路器件的方法。集成电路器件包括位于衬底上的晶体管和电连接到晶体管的电容器结构。电容器结构包括下电极、位于下电极上的下界面膜、位于下界面膜上的电容器电介质膜、位于电容器电介质膜上的上界面膜以及位于上界面膜上的上电极。下界面膜包括：第一下界面层，包括掺杂有杂质的金属氧化物；第二下界面层，包括与第一下界面层的材料基本相同的材料并掺杂有氮；和第三下界面层，包括与电容器电介质膜的材料相同的材料并掺杂有氮，上界面膜包括：第一上界面层，包括金属氧化物；第二上界面层，包括与第一上界面层的材料相同的材料并掺杂有氮；和第三上界面层，包括与电容器电介质膜的材料相同的材料并掺杂有氮。
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公开(公告)号：CN119451563A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410597507.3
申请日：2024-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：位于衬底上的着陆焊盘；下电极，下电极在着陆焊盘上沿垂直方向延伸，下电极连接到着陆焊盘；位于下电极上的电容器电介质层；位于下电极与电容器电介质层之间的掺杂层，掺杂层与下电极和电容器电介质层中的每一者接触，掺杂层掺杂有第一材料、第二材料和第三材料，第一材料具有三个价电子，第二材料具有四个价电子，并且第三材料具有五个价电子；以及位于电容器电介质层上的上电极。
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公开(公告)号：CN119012905A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410371967.4
申请日：2024-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了电容器和包括其的半导体装置。所述电容器可以包括主下电极、在主下电极的表面上的界面结构、在界面结构上包括金属氧化物的主介电层和在主介电层上的上电极。界面结构可以包括第一界面层、第二界面层和第三界面层。第一界面层可以具有导电性，并且可以包括掺杂有五价元素的金属氧化物。第二界面层可以在第一界面层上，并且可以包括在第一界面层的材料中进一步掺杂有氮的材料。第三界面层可以在第二界面层上，并且可以包括掺杂有氮的金属氧化物。包括在第三界面层的金属氧化物中的金属可以包括四价金属。
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公开(公告)号：CN118173542A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311599150.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H10B12/00 , H10N97/00
Abstract: 半导体装置包括开关元件和电连接到开关元件的数据存储结构。数据存储结构包括第一电极、第二电极、以及位于第一电极与第二电极之间的电介质层。第二电极包括掺杂有杂质元素的化合物半导体层，化合物半导体层包括两种或更多种元素，并且包括掺杂有杂质元素的半导体材料，两种或更多种元素包括第一元素和第二元素，第一元素是硅(Si)，并且化合物半导体层中的杂质元素的浓度在大约0.1at％至大约5at％的范围内，并且化合物半导体层中的第一元素的浓度在大约10at％至大约15at％的范围内。
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公开(公告)号：CN116249343A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210580484.6
申请日：2022-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，包括单元区域和外围区域；栅极堆叠，位于所述外围区域上；层间绝缘层，位于所述栅极堆叠上；外围电路互连线，位于所述层间绝缘层上；以及互连绝缘图案，位于所述外围电路互连线之间。所述互连绝缘图案可以包括在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开的成对的垂直部分以及将所述垂直部分彼此连接的连接部分。所述互连绝缘图案的每一个所述垂直部分可以在与所述外围电路互连线的顶表面相同的水平高度处在所述第一方向上具有第一厚度并且在与所述外围电路互连线的底表面相同的水平高度处在所述第一方向上具有第二厚度。所述第一厚度可以基本上等于所述第二厚度。
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