公开(公告)号：CN118173542A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311599150.4

申请日：2023-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安惠利 ,  朴桐湜 ,  申树浩 ,  朴晙晳 ,  朴建熹 ,  李佳垠 ,  张志熏 ,  曹裕珍 ,  曹河娜

IPC: H01L23/552 ,  H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 半导体装置包括开关元件和电连接到开关元件的数据存储结构。数据存储结构包括第一电极、第二电极、以及位于第一电极与第二电极之间的电介质层。第二电极包括掺杂有杂质元素的化合物半导体层，化合物半导体层包括两种或更多种元素，并且包括掺杂有杂质元素的半导体材料，两种或更多种元素包括第一元素和第二元素，第一元素是硅(Si)，并且化合物半导体层中的杂质元素的浓度在大约0.1at％至大约5at％的范围内，并且化合物半导体层中的第一元素的浓度在大约10at％至大约15at％的范围内。

公开(公告)号：CN119920766A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202410895756.0

申请日：2024-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙镛赫 ,  徐政逸 ,  李同勋 ,  姜承摸 ,  李昇柱 ,  曹裕珍 ,  崔成俊

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体器件包括互连线、在互连线上并且具有暴露互连线的顶表面的开口的绝缘层、以及延伸到开口中并且在开口的底表面处电连接到互连线的再分布图案。互连线被配置为在与再分布图案相邻的区域中提供在第一方向上的电流路径。开口包括面向第一方向的第一侧表面。当在平面图中观察时，开口的拐角区域在开口的所述第一侧表面的端部处远离开口突出或朝向开口凹入。