公开(公告)号：CN119920766A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202410895756.0

申请日：2024-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙镛赫 ,  徐政逸 ,  李同勋 ,  姜承摸 ,  李昇柱 ,  曹裕珍 ,  崔成俊

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体器件包括互连线、在互连线上并且具有暴露互连线的顶表面的开口的绝缘层、以及延伸到开口中并且在开口的底表面处电连接到互连线的再分布图案。互连线被配置为在与再分布图案相邻的区域中提供在第一方向上的电流路径。开口包括面向第一方向的第一侧表面。当在平面图中观察时，开口的拐角区域在开口的所述第一侧表面的端部处远离开口突出或朝向开口凹入。

公开(公告)号：CN114446962A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111283513.4

申请日：2021-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙镛赫 ,  李俊雨 ,  赵星东

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；多个电容器，其包括布置在单元区域中的多个下电极、覆盖多个下电极的多个电容器介电层和位于多个电容器介电层上的上电极；蚀刻停止层，其覆盖上电极；填充绝缘层，其覆盖蚀刻停止层，并且布置在单元区域和外围区域中；多条布线，其位于填充绝缘层上；以及第一布线接触插塞，其将多条布线中的至少一条电连接到上电极。上电极包括第一上电极层和第二上电极层，第一上电极层覆盖多个电容器介电层并且包括半导体材料，第二上电极层覆盖第一上电极层并且包括金属材料。