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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN119920766A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202410895756.0

申请日：2024-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙镛赫 , 徐政逸 , 李同勋 , 姜承摸 , 李昇柱 , 曹裕珍 , 崔成俊

IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488

Abstract: 一种半导体器件包括互连线、在互连线上并且具有暴露互连线的顶表面的开口的绝缘层、以及延伸到开口中并且在开口的底表面处电连接到互连线的再分布图案。互连线被配置为在与再分布图案相邻的区域中提供在第一方向上的电流路径。开口包括面向第一方向的第一侧表面。当在平面图中观察时，开口的拐角区域在开口的所述第一侧表面的端部处远离开口突出或朝向开口凹入。

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