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发明公开
电容器和包括该电容器的半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN119012905A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410371967.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 , 闵淙渶 , 白智叡 , 朴晙晳 , 李叡璱 , 李眞旭

IPC: H10N97/00 , H10B12/00

Abstract: 公开了电容器和包括其的半导体装置。所述电容器可以包括主下电极、在主下电极的表面上的界面结构、在界面结构上包括金属氧化物的主介电层和在主介电层上的上电极。界面结构可以包括第一界面层、第二界面层和第三界面层。第一界面层可以具有导电性，并且可以包括掺杂有五价元素的金属氧化物。第二界面层可以在第一界面层上，并且可以包括在第一界面层的材料中进一步掺杂有氮的材料。第三界面层可以在第二界面层上，并且可以包括掺杂有氮的金属氧化物。包括在第三界面层的金属氧化物中的金属可以包括四价金属。

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