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公开(公告)号：CN108461386B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201810219237.7
申请日：2018-03-16
Applicant: 三峡大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种含硅量子点多层膜及其制备方法，以硅烷、高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积一层氢化碳氮硅薄膜；采用等离子体增强化学气相沉积技术在所制备的氢化碳氮硅薄膜表面制备非晶硅薄膜；重复上述步骤，制备周期性氢化碳氮硅薄膜/非晶硅多层膜，再在氩气氛围中对所制得的周期性多层膜进行热退火处理，硅量子点便在热退火处理过程中于碳氮硅薄膜内形成。通过多层膜和热退火的方式减小薄膜内应力和界面缺陷态，以碳、氮和氢元素钝化硅量子点表面断键和悬挂键，以非晶硅层和碳氮硅基质减小载流子在硅量子点间隧穿势垒，从而使含硅量子点的碳氮硅/非晶硅多层膜具有良好的光电特性。
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公开(公告)号：CN108967048A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201811109962.5
申请日：2018-09-21
Applicant: 三峡大学
IPC: A01G18/22
Abstract: 本发明提供一种复合食用菌培养料装袋装置，它包括：套筒，套筒的一端与第一料斗连通，套筒的另一端为出料口；螺旋筒，螺旋筒与套筒可相对转动的套接，螺旋筒的一端与套筒的出料口对齐，另一端与第二料斗连通，在螺旋筒的外壁与套筒的套接段设有螺旋叶片，螺旋筒与驱动装置连接，并由驱动装置驱动转动；螺旋轴，螺旋轴固定支承在机架上，在螺旋轴的外壁设有螺旋叶片，螺旋轴套接在螺旋筒内。通过采用独特的支撑和驱动结构，大幅减少了传动机构的复杂程度，也降低了结构的复杂程度。本发明中，仅需驱动螺旋筒转动，即可同时将内层和外层的培养基输送至袋体内。
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公开(公告)号：CN107916411A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711165336.3
申请日：2017-11-21
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种固态荧光碳量子点的制备方法。具体步骤包括将石英片或者单晶硅片置于丙酮无水乙醇中超声清洗后用去离子水超声冲洗，氮气吹干；在200-300℃条件下对反应室预抽真空，至压强低于10-4Pa；以甲烷为工作气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在反应室内于石英片或者单晶硅片上制备嵌有碳量子点的薄膜。该方法制备的碳量子点具有工艺简单、效率高、周期短、绿色环保等特点，所生长的碳量子点具有纯度高、粒度小、荧光发光效率高等特性。本发明所制备的荧光碳量子点在医学影像、光致发光材料以及各种半导体发光器件等方面有很好的潜在应用。
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公开(公告)号：CN105648417B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201610144655.5
申请日：2016-03-14
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种利用低温化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)清洗单晶硅片；(2)将清洗好的硅片放入充有氧气的高温石英退火炉中进行热氧化处理，使其表面形成一层氧化硅薄膜；(3)以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积法在步骤(2)中所形成的氧化硅薄膜表面沉积非晶碳薄膜。用上述方法所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、均匀性好、电阻率低以及适合大面积制备等优点，而且此工艺与现有的半导体工艺技术相兼容，有利于非晶碳薄膜的应用。
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公开(公告)号：CN105110212B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510439921.2
申请日：2015-07-24
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种带活动配重系统的轮胎吊车,活动配重通过连杆与立轴固定连接，立轴的顶端设有齿盘，立轴位于靠近固定座尾部的位置，驱动装置与齿盘连接，通过齿盘驱动立轴和活动配重旋转。在固定座的中部的位置设有顶板，顶板下方形成用于容纳活动配重的空腔。本发明提供的一种带活动配重系统的轮胎吊车，通过采用以上的结构，在不降低起重量的前提下，能够利用调节活动配重的位置来降低自重，且结构可靠，控制和调节方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106223092A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610830531.2
申请日：2016-09-19
Applicant: 三峡大学
CPC classification number: Y02W30/646 , D21B1/32 , D21B1/345
Abstract: 本发明提供一种废纸重渣拍击分离装置，分离槽由多个上部较宽、下部较窄的槽体组成，在分离槽的顶部设有多个拍击装置，在分离槽内设有水流发生装置；分离槽的底部设有重渣排渣口；在分离槽的前端设有溢流口。通过设置的分离槽能够使水与废纸充分浸润，并使废纸中的重渣分离出来，设置的拍击装置能够使废纸充分浸入水中，并能够推动废纸向溢流口的方向移动。在后继的工序中，能够采用较为精密的处理设备处理废纸，并大幅降低处理工序的能耗，提高处理质量。经测算，采用本发明的装置与滤浆槽的组合，能够降低70%以上的能耗。
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公开(公告)号：CN104324719B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410551587.5
申请日：2014-10-17
Applicant: 三峡大学
IPC: B01J23/30 , A62D3/17 , A62D101/26 , A62D101/28
Abstract: 本发明提供一种可见光响应的光催化剂，所述光催化剂的化学组成式为Sr3Bi4V2O14，其制备方法包括如下步骤：将化学原料SrCO3、Bi2O3和V2O5的原始粉末按Sr3Bi4V2O14组成称量配料；将配好的原料混合，放入球磨罐中，加入氧化锆球和蒸馏水，球磨，烘干，过200目筛；将混合均匀的粉料在820℃预烧，并保温6小时，自然冷却，粉碎得到Sr3Bi4V2O14粉末。本发明得到的光催化剂的光谱响应范围宽，光转换效率高和稳定性好，在可见光照射下具有分解有害化学物质、有机生物质和杀菌的作用；另外制备方法简单、合成温度低，成本低，适合工业生产与应用。
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公开(公告)号：CN103938210B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410141358.6
申请日：2014-04-10
Applicant: 三峡大学 , 湖北三峡新型建材股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光电材料技术领域的AZO（ZnO:Al）透明导电薄膜的制备方法，通过在玻璃基片上依次采用溶胶?凝胶法和磁控溅射法沉积AZO薄膜。采用该方法制备的薄膜不仅具备良好的光电综合性能，而且解决了采用磁控溅射法在低温条件下制备薄膜的附着性差的问题，延长了薄膜的使用寿命，提高了其稳定性。本发明结合溶胶?凝胶和磁控溅射法的优势所制备的AZO薄膜，工艺简单，成本低廉，薄膜光电性能优良，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN105823413A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610343539.6
申请日：2015-03-05
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种快速测量轴孔参数的装置，基板上设有多个与工件上轴孔位置相对应的数位板，还设有与工件上至少两个轴孔相对应的，用于定位轴孔的轴线的立轴装置，所述的立轴装置中至少有一个定位点与数位板接触。一种采用上述的快速测量轴孔参数的装置进行测量的方法，包括以下步骤：基板和数位板放置在立柱的顶端，其中数位板与立柱的顶端接触；通过以上步骤，快速测量轴孔之间的轴距。本发明提供的一种快速测量轴孔参数的装置及测量方法，通过采用立轴装置配合数位板，可以实现精确、快速的测量轴孔的轴距、垂直度和平行度等参数。且操作方便，测量速度快。
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公开(公告)号：CN105551934A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510910126.7
申请日：2015-12-10
Applicant: 三峡大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02381 , H01L21/02527 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L31/035218 , H01L31/202
Abstract: 本发明公开了一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，步骤为：采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积非化学计量比碳化硅薄膜，硅量子点在非化学计量比碳化硅薄膜沉积过程中形成；采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜；依次上述重复，制备周期性多层膜。经过上述步骤所制备的含硅量子点碳硅基薄膜材料具有制备工艺简单、能耗小、薄膜面积大、均匀性好、缺陷态少以及载流子遂穿势垒低等优点。本发明所提供的方法在硅量子点光电器件制备与应用方面有很好的应用前景。
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