公开(公告)号：CN105719836A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610002362.3

申请日：2016-01-01

Applicant: 三峡大学

Inventor： 黄妞 ,  李文静 ,  项长华 ,  孙小华 ,  孙盼盼

IPC: H01G9/042 ,  H01G9/20

CPC classification number: Y02E10/542 ,  H01G9/20 ,  H01G9/0029 ,  H01G9/042

Abstract: 本发明公开了一种硫化钴镍对电极的制备方法，步骤包括：第一步、将钴盐，镍盐与过量氢氧化钠或碳酸钠所生成的沉淀在120-200℃水热反应生成氢氧钴镍或碱式碳酸钴镍；第二步、将氢氧钴镍或碱式碳酸钴镍与一定浓度的硫源水溶液混合，在140-230℃水热；第三步、将生成的硫化钴镍制成浆料并涂覆在导电基底上，室温干燥。本发明制备的电极，无需再在真空或保护气氛下烧结，制备工艺简单；所制备的硫化钴镍对电极机械强度高、没有脱落现象；所制备的硫化钴镍对电极具有较热解Pt电极更佳的电催化活性；利用所制备的硫化钴镍电极组装染料敏化太阳能电池获得了较热解Pt电极组装染料敏化太阳能电池更高的光电转化效率。

公开(公告)号：CN105648417A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610144655.5

申请日：2016-03-14

Applicant: 三峡大学

Inventor： 姜礼华 ,  杨一名 ,  项长华 ,  谭新玉 ,  孙宜华 ,  肖婷 ,  向鹏

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明公开了一种利用低温化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)清洗单晶硅片；(2)将清洗好的硅片放入充有氧气的高温石英退火炉中进行热氧化处理，使其表面形成一层氧化硅薄膜；(3)以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积法在步骤(2)中所形成的氧化硅薄膜表面沉积非晶碳薄膜。用上述方法所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、均匀性好、电阻率低以及适合大面积制备等优点，而且此工艺与现有的半导体工艺技术相兼容，有利于非晶碳薄膜的应用。

公开(公告)号：CN105551810B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201610002384.X

申请日：2016-01-01

Applicant: 三峡大学

Inventor： 黄妞 ,  孙小华 ,  孙盼盼 ,  项长华 ,  李文静

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042

Abstract: 本发明公开了一种原位电极的溶剂热制备方法，具体是将金属镍盐、硫脲或硒粉和乙二胺溶于乙二醇溶液中，加入透明基底材料再装入水热釜中，在140~230℃进行溶剂热3~24h，将透明基底取出清洗、干燥即可得到透明原位电极。本发明所使用试剂低廉、制备简单，且所制备的原位硫化镍、硒化镍电极具有极高的电催化活性。

公开(公告)号：CN105731820A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610002369.5

申请日：2016-01-01

Applicant: 三峡大学

Inventor： 黄妞 ,  孙小华 ,  孙盼盼 ,  李文静 ,  项长华

IPC: C03C17/22

CPC classification number: C03C17/22 ,  C03C2217/288 ,  C03C2218/111

Abstract: 本发明公开了一种原位电极二硫化钼的溶剂热制备方法，具体是将含钼的盐（如钼酸钠等）溶于含硫源（如硫脲）的醇溶液，加入基底材料后装入水热釜中，在180~230℃溶剂热6~24 h；将基底取出清洗干燥即可，若要进一步提高二硫化钼的结晶性，可于N2气氛中500℃中退火1 h。本发明制备的原位二硫化钼电极，具有较高的透明度、极高的均匀性和与基底的附着力。利用本发明所制备的二硫化钼电极组装染料敏化太阳能电池，其光电转化效率高于利用传统高电催化活性的热解Pt电极所组成的电池，这说明了本发明所制备的二硫化钼电极具有极佳的电催化活性。

公开(公告)号：CN105648417B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201610144655.5

申请日：2016-03-14

Applicant: 三峡大学

Inventor： 姜礼华 ,  杨一名 ,  项长华 ,  谭新玉 ,  孙宜华 ,  肖婷 ,  向鹏

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明公开了一种利用低温化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)清洗单晶硅片；(2)将清洗好的硅片放入充有氧气的高温石英退火炉中进行热氧化处理，使其表面形成一层氧化硅薄膜；(3)以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积法在步骤(2)中所形成的氧化硅薄膜表面沉积非晶碳薄膜。用上述方法所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、均匀性好、电阻率低以及适合大面积制备等优点，而且此工艺与现有的半导体工艺技术相兼容，有利于非晶碳薄膜的应用。

公开(公告)号：CN105551810A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610002384.X

申请日：2016-01-01

Applicant: 三峡大学

Inventor： 黄妞 ,  孙小华 ,  孙盼盼 ,  项长华 ,  李文静

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042

CPC classification number: H01G9/2022

Abstract: 本发明公开了一种原位电极的溶剂热制备方法，具体是将金属镍盐、硫脲或硒粉和乙二胺溶于乙二醇溶液中，加入透明基底材料再装入水热釜中，在140~230℃进行溶剂热3~24h，将透明基底取出清洗、干燥即可得到透明原位电极。本发明所使用试剂低廉、制备简单，且所制备的原位硫化镍、硒化镍电极具有极高的电催化活性。