公开(公告)号：CN105648417B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201610144655.5

申请日：2016-03-14

Applicant: 三峡大学

Inventor： 姜礼华 ,  杨一名 ,  项长华 ,  谭新玉 ,  孙宜华 ,  肖婷 ,  向鹏

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明公开了一种利用低温化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)清洗单晶硅片；(2)将清洗好的硅片放入充有氧气的高温石英退火炉中进行热氧化处理，使其表面形成一层氧化硅薄膜；(3)以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积法在步骤(2)中所形成的氧化硅薄膜表面沉积非晶碳薄膜。用上述方法所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、均匀性好、电阻率低以及适合大面积制备等优点，而且此工艺与现有的半导体工艺技术相兼容，有利于非晶碳薄膜的应用。

公开(公告)号：CN105648417A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610144655.5

申请日：2016-03-14

Applicant: 三峡大学

Inventor： 姜礼华 ,  杨一名 ,  项长华 ,  谭新玉 ,  孙宜华 ,  肖婷 ,  向鹏

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明公开了一种利用低温化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)清洗单晶硅片；(2)将清洗好的硅片放入充有氧气的高温石英退火炉中进行热氧化处理，使其表面形成一层氧化硅薄膜；(3)以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积法在步骤(2)中所形成的氧化硅薄膜表面沉积非晶碳薄膜。用上述方法所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、均匀性好、电阻率低以及适合大面积制备等优点，而且此工艺与现有的半导体工艺技术相兼容，有利于非晶碳薄膜的应用。