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公开(公告)号：CN109280902B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811132537.8
申请日：2018-09-27
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法。该方法以射频等离子体增强化学气相沉积技术作为石墨烯量子点固态膜生长方法，以高纯乙烯作为石墨烯量子点生长的碳源气体，以硅烷混合气和高纯氮气分别为石墨烯量子点的生长提供硅元素修饰和氮元素修饰。相对于目前常用的石墨烯量子点制备方法，如电化学法、水热法、酸氧化法、溶液化学法以及微波超声等方法，该方法的突出优点是石墨烯量子点不是以液态和胶体态的形式存在，而是以固态膜的形式存在且制备工艺同传统半导体工艺相兼容。本发明所提出的这种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法能使石墨烯量子点在太阳能电池、光电探测器以及发光二极管等半导体器件中得到很好的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108461386A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810219237.7
申请日：2018-03-16
Applicant: 三峡大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种含硅量子点多层膜及其制备方法，以硅烷、高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积一层氢化碳氮硅薄膜；采用等离子体增强化学气相沉积技术在所制备的氢化碳氮硅薄膜表面制备非晶硅薄膜；重复上述步骤，制备周期性氢化碳氮硅薄膜/非晶硅多层膜，再在氩气氛围中对所制得的周期性多层膜进行热退火处理，硅量子点便在热退火处理过程中于碳氮硅薄膜内形成。通过多层膜和热退火的方式减小薄膜内应力和界面缺陷态，以碳、氮和氢元素钝化硅量子点表面断键和悬挂键，以非晶硅层和碳氮硅基质减小载流子在硅量子点间隧穿势垒，从而使含硅量子点的碳氮硅/非晶硅多层膜具有良好的光电特性。
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公开(公告)号：CN108461386B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201810219237.7
申请日：2018-03-16
Applicant: 三峡大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种含硅量子点多层膜及其制备方法，以硅烷、高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积一层氢化碳氮硅薄膜；采用等离子体增强化学气相沉积技术在所制备的氢化碳氮硅薄膜表面制备非晶硅薄膜；重复上述步骤，制备周期性氢化碳氮硅薄膜/非晶硅多层膜，再在氩气氛围中对所制得的周期性多层膜进行热退火处理，硅量子点便在热退火处理过程中于碳氮硅薄膜内形成。通过多层膜和热退火的方式减小薄膜内应力和界面缺陷态，以碳、氮和氢元素钝化硅量子点表面断键和悬挂键，以非晶硅层和碳氮硅基质减小载流子在硅量子点间隧穿势垒，从而使含硅量子点的碳氮硅/非晶硅多层膜具有良好的光电特性。
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公开(公告)号：CN108165952B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201711285578.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/513 , C23C16/02 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：清洗玻璃基片；以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃基片表面沉积一层非晶碳薄膜；采用等离子体增强化学气相沉积技术对玻璃基片表面沉积的非晶碳薄膜进行氨气等离子体处理；以甲烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氨气等离子体处理后的非晶碳表面沉积一层氮化碳薄膜；在高纯氮气气氛中低温热处理氮化碳薄膜。该方法通过修饰玻璃基片表面化学键、优化氮化碳薄膜中氮原子和氢原子含量以及在氮气氛围中采用低温热处理的方法调整薄膜内应力，从而使氮化碳薄膜具有良好的硬度和透光性。
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公开(公告)号：CN109280902A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811132537.8
申请日：2018-09-27
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法。该方法以射频等离子体增强化学气相沉积技术作为石墨烯量子点固态膜生长方法，以高纯乙烯作为石墨烯量子点生长的碳源气体，以硅烷混合气和高纯氮气分别为石墨烯量子点的生长提供硅元素修饰和氮元素修饰。相对于目前常用的石墨烯量子点制备方法，如电化学法、水热法、酸氧化法、溶液化学法以及微波超声等方法，该方法的突出优点是石墨烯量子点不是以液态和胶体态的形式存在，而是以固态膜的形式存在且制备工艺同传统半导体工艺相兼容。本发明所提出的这种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法能使石墨烯量子点在太阳能电池、光电探测器以及发光二极管等半导体器件中得到很好的应用。
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公开(公告)号：CN108165952A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711285578.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/513 , C23C16/02 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：清洗玻璃基片；以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃基片表面沉积一层非晶碳薄膜；采用等离子体增强化学气相沉积技术对玻璃基片表面沉积的非晶碳薄膜进行氨气等离子体处理；以甲烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氨气等离子体处理后的非晶碳表面沉积一层氮化碳薄膜；在高纯氮气气氛中低温热处理氮化碳薄膜。该方法通过修饰玻璃基片表面化学键、优化氮化碳薄膜中氮原子和氢原子含量以及在氮气氛围中采用低温热处理的方法调整薄膜内应力，从而使氮化碳薄膜具有良好的硬度和透光性。
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