-
公开(公告)号：CN109280902B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811132537.8
申请日：2018-09-27
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法。该方法以射频等离子体增强化学气相沉积技术作为石墨烯量子点固态膜生长方法，以高纯乙烯作为石墨烯量子点生长的碳源气体，以硅烷混合气和高纯氮气分别为石墨烯量子点的生长提供硅元素修饰和氮元素修饰。相对于目前常用的石墨烯量子点制备方法，如电化学法、水热法、酸氧化法、溶液化学法以及微波超声等方法，该方法的突出优点是石墨烯量子点不是以液态和胶体态的形式存在，而是以固态膜的形式存在且制备工艺同传统半导体工艺相兼容。本发明所提出的这种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法能使石墨烯量子点在太阳能电池、光电探测器以及发光二极管等半导体器件中得到很好的应用。
-
公开(公告)号：CN110504112A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910740242.7
申请日：2019-08-12
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种聚吡咯包覆氮掺杂二氧化钛超微球电极的制备方法及其应用。首先采用水热法制备氮掺杂的TiO2微球，离心洗涤后加入聚偏氟乙烯和乙炔黑充分研磨均匀得到TiO2浆料，印刷到洗净的镍网上后在真空80℃条件下进行干燥12个小时，得到氮掺杂TiO2微球电极。采用计时电流法将氮掺杂TiO2微球电极表面包覆一层聚吡咯，得到N-TiO2@ppy。在0.5 M NaSO4电解液中，TiO2微球电极的比电容仅为3.1 mF/cm-2，氮掺杂TiO2微球的比电容提高至40.6 mF/cm-2，而进一步聚吡咯包覆优化可达416.7 mF/cm-2；2000次循环后，TiO2微球电极的电容保持为91.5%，N-TiO2@ppy电极的电容保持率可达94.6%。本发明具有制备方法简单，比电容高、稳定性好等优点。
-
公开(公告)号：CN109280902A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811132537.8
申请日：2018-09-27
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法。该方法以射频等离子体增强化学气相沉积技术作为石墨烯量子点固态膜生长方法，以高纯乙烯作为石墨烯量子点生长的碳源气体，以硅烷混合气和高纯氮气分别为石墨烯量子点的生长提供硅元素修饰和氮元素修饰。相对于目前常用的石墨烯量子点制备方法，如电化学法、水热法、酸氧化法、溶液化学法以及微波超声等方法，该方法的突出优点是石墨烯量子点不是以液态和胶体态的形式存在，而是以固态膜的形式存在且制备工艺同传统半导体工艺相兼容。本发明所提出的这种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法能使石墨烯量子点在太阳能电池、光电探测器以及发光二极管等半导体器件中得到很好的应用。
-
公开(公告)号：CN110504112B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910740242.7
申请日：2019-08-12
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种聚吡咯包覆氮掺杂二氧化钛超微球电极的制备方法及其应用。首先采用水热法制备氮掺杂的TiO2微球，离心洗涤后加入聚偏氟乙烯和乙炔黑充分研磨均匀得到TiO2浆料，印刷到洗净的镍网上后在真空80℃条件下进行干燥12个小时，得到氮掺杂TiO2微球电极。采用计时电流法将氮掺杂TiO2微球电极表面包覆一层聚吡咯，得到N‑TiO2@ppy。在0.5 M NaSO4电解液中，TiO2微球电极的比电容仅为3.1 mF/cm‑2，氮掺杂TiO2微球的比电容提高至40.6 mF/cm‑2，而进一步聚吡咯包覆优化可达416.7 mF/cm‑2；2000次循环后，TiO2微球电极的电容保持为91.5%，N‑TiO2@ppy电极的电容保持率可达94.6%。本发明具有制备方法简单，比电容高、稳定性好等优点。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
