公开(公告)号：CN110392747A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201880013540.X

申请日：2018-02-06

Applicant: 三井金属矿业株式会社 ,  HOYA株式会社 ,  HOYA电子新加坡股份有限公司

Inventor： 占部宏成 ,  池田真 ,  梅泽祯一郎 ,  内田真理子 ,  河角功 ,  洪楚汶

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C01B33/02 ,  C01B33/06 ,  C22C27/04

Abstract: 本发明的溅射靶的钼含量为3摩尔％以上且25摩尔％以下、硅含量为75摩尔％以上且97摩尔％以下。溅射靶包含硅粒子的平均粒径为2.0μm以下的硅相和硅化钼粒子的平均粒径为2.5μm以下的硅化钼相。在硅相中存在的长径为0.3μm以上的空孔的平均个数在90μm×125μm的范围内为10个以下。

公开(公告)号：CN110392747B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201880013540.X

申请日：2018-02-06

Applicant: 三井金属矿业株式会社 ,  HOYA株式会社 ,  HOYA电子新加坡股份有限公司

Inventor： 占部宏成 ,  池田真 ,  梅泽祯一郎 ,  内田真理子 ,  河角功 ,  洪楚汶

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C01B33/02 ,  C01B33/06 ,  C22C27/04

Abstract: 本发明的溅射靶的钼含量为3摩尔％以上且25摩尔％以下、硅含量为75摩尔％以上且97摩尔％以下。溅射靶包含硅粒子的平均粒径为2.0μm以下的硅相和硅化钼粒子的平均粒径为2.5μm以下的硅化钼相。在硅相中存在的长径为0.3μm以上的空孔的平均个数在90μm×125μm的范围内为10个以下。

公开(公告)号：CN101777354A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010002057.7

申请日：2005-06-29

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 园部义明 ,  梅泽祯一郎 ,  鹰巢力

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/82

CPC classification number: H01F10/007 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/66 ,  G11B5/851 ,  G11B2005/0029 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明提供可以通过不引起DC噪声的增大、热稳定性的劣化、记录能力的劣化而提高高密度记录时的S/N比的方式有助于高记录密度化的垂直磁记录盘以及其制造方法。它是在基板1上至少具备磁记录层，并用于垂直磁记录的磁盘10，磁记录层由在含有钴(Co)的晶粒之间含有硅(Si)或硅(Si)的氧化物的颗粒结构的铁磁性层5，含有钴(Co)或Co合金的第1层和含有钯(Pd)或铂(Pt)的第2层的层叠层7，和存在于铁磁性层5和层叠层7之间的衬垫层6构成。当在氩气环境中，在基板1上将铁磁性层5溅射成膜后，在氩气环境中，用比铁磁性层5成膜时的气压低的气压将层叠层7溅射成膜。

公开(公告)号：CN100589187C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200580021380.6

申请日：2005-06-29

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 园部义明 ,  梅泽祯一郎 ,  鹰巢力

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/82 ,  G11B5/851 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

CPC classification number: H01F10/007 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/66 ,  G11B5/851 ,  G11B2005/0029 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

Abstract: 提供可以通过不引起DC噪声的增大、热稳定性的劣化、记录能力的劣化而提高高密度记录时的S/N比的方式有助于高记录密度化的垂直磁记录盘以及其制造方法。它是在基板(1)上至少具备磁记录层，并用于垂直磁记录的磁盘(10)，磁记录层由在含有钴(Co)的晶粒之间含有硅(Si)或硅(Si)的氧化物的颗粒结构的铁磁性层(5)，含有钴(Co)或Co合金的第1层和含有钯(Pd)或铂(Pt)的第2层的层叠层(7)，和存在于铁磁性层(5)和层叠层(7)之间的衬垫层(6)构成。当在氩气环境中，在基板(1)上将铁磁性层(5)溅射成膜后，在氩气环境中，用比铁磁性层(5)成膜时的气压低的气压将层叠层(7)溅射成膜。

公开(公告)号：CN1985305A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580021380.6

申请日：2005-06-29

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 园部义明 ,  梅泽祯一郎 ,  鹰巢力

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/82 ,  G11B5/851 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

CPC classification number: H01F10/007 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/66 ,  G11B5/851 ,  G11B2005/0029 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

Abstract: 提供可以通过不引起DC噪声的增大、热稳定性的劣化、记录能力的劣化而提高高密度记录时的S/N比的方式有助于高记录密度化的垂直磁记录盘以及其制造方法。它是在基板1上至少具备磁记录层，并用于垂直磁记录的磁盘10，磁记录层由在含有钴(Co)的晶粒之间含有硅(Si)或硅(Si)的氧化物的颗粒结构的铁磁性层5，含有钴(Co)或Co合金的第1层和含有钯(Pd)或铂(Pt)的第2层的层叠层7，和存在于铁磁性层5和层叠层7之间的衬垫层6构成。当在氩气环境中，在基板1上将铁磁性层5溅射成膜后，在氩气环境中，用比铁磁性层5成膜时的气压低的气压将层叠层7溅射成膜。