公开(公告)号：CN110392747A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201880013540.X

申请日：2018-02-06

Applicant: 三井金属矿业株式会社 ,  HOYA株式会社 ,  HOYA电子新加坡股份有限公司

Inventor： 占部宏成 ,  池田真 ,  梅泽祯一郎 ,  内田真理子 ,  河角功 ,  洪楚汶

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C01B33/02 ,  C01B33/06 ,  C22C27/04

Abstract: 本发明的溅射靶的钼含量为3摩尔％以上且25摩尔％以下、硅含量为75摩尔％以上且97摩尔％以下。溅射靶包含硅粒子的平均粒径为2.0μm以下的硅相和硅化钼粒子的平均粒径为2.5μm以下的硅化钼相。在硅相中存在的长径为0.3μm以上的空孔的平均个数在90μm×125μm的范围内为10个以下。

公开(公告)号：CN110392747B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201880013540.X

申请日：2018-02-06

Applicant: 三井金属矿业株式会社 ,  HOYA株式会社 ,  HOYA电子新加坡股份有限公司

Inventor： 占部宏成 ,  池田真 ,  梅泽祯一郎 ,  内田真理子 ,  河角功 ,  洪楚汶

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C01B33/02 ,  C01B33/06 ,  C22C27/04

Abstract: 本发明的溅射靶的钼含量为3摩尔％以上且25摩尔％以下、硅含量为75摩尔％以上且97摩尔％以下。溅射靶包含硅粒子的平均粒径为2.0μm以下的硅相和硅化钼粒子的平均粒径为2.5μm以下的硅化钼相。在硅相中存在的长径为0.3μm以上的空孔的平均个数在90μm×125μm的范围内为10个以下。