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公开(公告)号：CN102520583B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110317143.1
申请日：2003-03-28
Applicant: AZ电子材料日本株式会社
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶组合物，其包含：a)至少一种选自线性酚醛清漆树脂和聚羟基苯乙烯的成膜树脂；b)至少一种光活性化合物或光酸产生剂；和c)包含至少一种选自缩醛和缩酮的溶剂的溶剂组合物。还公开了一种包含聚碳酸酯树脂和溶剂组合物的光刻胶组合物，所述溶剂组合物包含至少一种选自缩醛和缩酮的溶剂。还公开了一种用于将光刻胶组合物成像的方法，其包括如下步骤：a)用任何一种前述光刻胶组合物涂覆基材；b)烘烤基材以基本上去除溶剂；c)成像式照射光刻胶膜；和d)用合适的显影剂去除涂覆基材的成像式曝光或未曝光区域。
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公开(公告)号：CN102484068A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039326.5
申请日：2010-09-02
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: C23C18/1208 , C04B35/14 , C04B35/62218 , C04B2235/483 , C08G77/62 , C09D183/16 , C23C18/122 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326
Abstract: 本发明提供了一种形成硅质膜的方法。根据该方法，在低温下可以由聚硅氮烷化合物形成具有亲水性表面的硅质膜。在该方法中，在基板表面上涂布含有聚硅氮烷化合物和二氧化硅转化反应加速剂的组合物以形成聚硅氮烷膜，然后在其上涂布聚硅氮烷膜处理液以使聚硅氮烷化合物在300℃以下转化为硅质膜。该聚硅氮烷膜处理液含有溶剂、过氧化氢和醇。
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公开(公告)号：CN101553758B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200780039421.3
申请日：2007-12-21
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
CPC classification number: G03F7/0048
Abstract: 本发明涉及一种图案的形成方法及其所使用的感光性树脂组合物。本发明提供可改善涂敷性和形成的图案形状的感光性树脂组合物及采用其的图案形成方法。该感光性树脂组合物含有碱可溶性树脂、感光剂和混合溶剂，上述混和溶剂含有丙二醇单甲醚乙酸酯和在20℃下蒸气压为150Pa以下的共溶剂。该组合物适合用于通过狭缝涂敷法进行涂敷的情况。
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公开(公告)号：CN101849209A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880119991.8
申请日：2008-12-10
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0046
Abstract: 公开了一种用于形成顶层抗反射膜的组合物，其包含至少一种含氟化合物和通式(1)表示的季铵化合物(其中R1、R2、R3和R4中的至少一个表示羟基或链烷醇基，其余的表示氢原子或具有1～10个碳原子的烷基；X-表示羟基、卤离子或硫酸根离子)，以及非强制选择的水溶性聚合物、酸、表面活性剂和水性溶剂。该用于形成顶层抗反射膜的组合物当以较少用量涂覆时，可以表现出与传统的用于形成顶层抗反射膜的组合物相同水平的功能。通式(1)
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公开(公告)号：CN101802718A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106486.X
申请日：2008-09-12
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/0757 , G03F7/405
Abstract: 本发明提供了一种具有高抗干蚀刻性的精细图案形成用组合物以及形成该精细图案的方法。该精细图案形成用组合物包含：含有具有硅氮烷键的重复单元的树脂；和溶剂，以及使用该组合物的精细图案形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100565814C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN02825949.1
申请日：2002-12-19
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02087 , C08J7/02 , C08J2383/16 , H01L21/02123 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/3125
Abstract: 聚硅氮烷采用一种单一或混合溶剂进行处理，所述溶剂含有一种或多种选自下述物质的成份：二甲苯、苯甲醚、萘烷、环己烷、环己烯、甲基环己烷、乙基环己烷、苎烯、己烷、辛烷、壬烷、癸烷、一种C8-C11烷烃混合物、一种C8-C11芳烃混合物、一种含5-25重量%的C8或更多芳烃的脂族/脂环族烃混合物、和二丁醚，其中，在1ml所述溶剂中存在的0.5微米或更大微粒的数目为50或更少。至于所述聚硅氮烷的处理，例如，可以列举的有：通过旋涂聚硅氮烷到一种半导体基材上形成的聚硅氮烷膜的边缘清洗和背面清洗。所述溶剂的水含量优选为100ppm或更少。
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公开(公告)号：CN100552546C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200480009527.5
申请日：2004-04-05
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
CPC classification number: G03F7/085 , G03F7/0226
Abstract: 本发明提供了一种用于光敏树脂组合物的附着力促进剂，其由通过下面的通式(1)表示的N-苯基-2H-苯并三唑化合物组成。该促进剂被加入到例如含有碱溶性树脂和光敏剂的光敏树脂组合物中：其中，R1-R4各自独立地表示氢原子，卤原子或C1-5烷基；在R5和R9中至少之一是羟基的条件下，R5-R9各自独立地表示氢原子，羟基，C1-10烷基，芳基，C7-12芳烷基，-R10COOR11，或者-R10CO-(OCH2CH2)n-OH；R10代表C2-5亚烷基；R11代表C1-8烷基；并且n是2-20的整数。
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公开(公告)号：CN100535747C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200480019330.X
申请日：2004-06-04
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
CPC classification number: G03F7/0233 , G03F7/0226
Abstract: 本发明涉及一种包含碱溶性树脂、具有醌二叠氮基的光敏剂以及固化剂的光敏树脂组合物，该碱溶性树脂是丙烯酸树脂，该固化剂是含有环氧基团的固化剂，该光敏树脂组合物进一步包含羧酸，并且涉及具有由该光敏树脂组合物形成的平面化膜或者层间介电膜的平板显示器或者半导体元件。作为上面的羧酸，C12-C18的饱和脂肪酸和C12-C24的不饱和脂肪酸是优选的。
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公开(公告)号：CN101408729A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810210008.5
申请日：2003-01-03
Applicant: AZ电子材料日本株式会社
CPC classification number: G03F7/09 , G03F7/0392 , G03F7/091 , Y10S430/106
Abstract: 本发明涉及一种新型的吸收性、可光成像并可水性显影的正性作用抗反射涂料组合物，该组合物包含光酸产生剂和聚合物，该聚合物包含至少一种具有酸不稳定基团的单元和至少一种具有吸收性生色团的单元。本发明进一步涉及使用这样的组合物的方法。本发明也涉及一种新型的吸收性、可光成像并可含水碱显影的正性作用抗反射涂料组合物，该组合物包含聚合物、染料和光酸产生剂，该聚合物包含至少一种具有酸不稳定基团的单元。本发明进一步涉及使用这样的组合物的方法。本发明也涉及一种新型的用正性光刻胶和新型可光成像并可水性显影的正性作用抗反射涂料组合物形成正像的方法，其中抗反射涂料包含聚合物，该聚合物包含酸不稳定基团。本发明进一步涉及这样的组合物。本发明也涉及用于将可光成像的抗反射涂料组合物成像的方法。
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公开(公告)号：CN101384969A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005364.7
申请日：2007-02-13
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027 , H01L21/304
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂基底处理液和使用该处理液形成图形的方法，能够同时容易地解决诸如基底表面上外来杂质、图形坍塌和图形粗糙的问题。处理液包含水和具有含11～30个碳原子的烃基的伯胺或氨的烯化氧加合物。本发明的图形形成方法包括用该处理液处理显影图形的步骤。
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