公开(公告)号：CN118335784A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410307432.0

申请日：2024-03-18

Applicant: 浙江大学 ,  斯达半导体股份有限公司

Inventor： 盛况 ,  王珩宇 ,  周学磊 ,  沈华 ,  刘志红

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种超级结IGBT半元胞结构、器件及制备方法，包括发射极结构、栅极结构和集电极结构，发射极结构与栅极结构并排接触设置，且并排接触设置的发射极结构和栅极结构，与集电极结构之间设置有漂移区结构，漂移区结构与栅极结构部分接触设置，漂移区结构与发射极结构之间设置有载流子储存层，且栅极结构与载流子储存层部分接触设置，栅极结构、漂移区结构以及载流子储存层之间设置有空穴通道区，解决了现有IGBT器件无法实现提高电导调制效应的同时，降低器件关断损耗的问题。

公开(公告)号：CN118237802A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410336841.3

申请日：2024-03-22

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 王晓馨 ,  胡少华 ,  鲁俊杰

IPC: B23K35/40 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  B23K35/30 ,  B23K3/06 ,  B23K3/00 ,  B23K3/08 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明提供一种复合银膜及其制备方法和硅基GaN芯片烧结方法，复合银膜用作硅基GaN芯片烧结的焊料，步骤A1，对由纳米银颗粒和微米银颗粒组成的双峰银颗粒进行处理后得到双峰银浆，以及对金刚石颗粒通过处理得到含钛金属的改性金刚石浆料；步骤A2，将双峰银浆印刷在塑料基板上烘干后得到第一银膜；步骤A3，在第一银膜上涂布一层改性金刚石浆料，预烘后在涂布的改性金刚石浆料表面印刷一层双峰银浆，烘干后形成第一银膜‑改性金刚石层‑第二银膜三层夹心结构的复合银膜。复合银膜可以在整个烧结制程中减少因热胀冷缩造成的芯片应力损伤导致的裂纹问题，经过烧结后芯片与基板之间接头剪切强度高。

公开(公告)号：CN112883582B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202110259261.5

申请日：2021-03-10

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 朱翔 ,  吴雨晴

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种利用电子表格的IGBT结温迭代快速计算方法，具体为：先预设大一点的温度间隔，递减倒推出接近的温度点，或根据实际精度需要递减倒推出满足精度要求的真实温度点，计算时，先读取规格书曲线图上IGBT的饱和压降、开通损耗、关断损耗以及电流、驱动电阻等各变量之间的函数关系，再根据对应的函数关系和计算公式计算得到IGBT的功耗和结温，建立表格，利用表格IF函数、比较函数功能找到使预设温度行和实际计算行最近的温度值，即得Treal大致的温度点；最后根据实际精度需要，利用上面同样的方法，根据大致的温度点来决定做n行，相同方法找出使预设温度行和实际计算行最近的值，即得与Treal最接近的值。

公开(公告)号：CN117761370A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311673874.9

申请日：2023-12-07

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 栗赛男 ,  刘欣 ,  朱妍旭

IPC: G01R13/00

Abstract: 本发明提供一种用于双脉冲测试的波形分析系统及方法，涉及双脉冲测试技术领域，包括：获取双脉冲测试文件，并对双脉冲测试文件进行预处理得到处理后测试文件；根据处理后测试文件中包含的参数处理得到测试流程中的各脉冲对应的开通节点及关断节点，随后根据各参数、各开通节点以及各关断节点处理得到开通参数、关断参数和反向恢复参数；根据处理后测试文件中的各参数以及开通参数、关断参数和反向恢复参数生成完整波形图，根据各参数处理得到峰值电流以及峰值电压，随后基于峰值电流、峰值电压从完整波形图中分别截取得到开通波形图、关断波形图和二极管反向恢复波形图。有益效果是节省分析时间，提升研发效率。

公开(公告)号：CN116106711A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211697384.8

申请日：2022-12-28

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 朱翔

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种功率器件的高温安全工作区测试方法及系统，涉及电力电子学技术领域，包括：首先，根据测试热阻、实时环境温度和期望结温处理得到加热功率；随后，根据加热功率和预设的工作电压处理得到加热电流；接着，在加热电流对应关系表中匹配得到测试驱动电压；然后，根据测试驱动电压、工作电压和加热时间将各功率器件依次加热到对应的期望结温；最后，根据工作电压、测试电感和测试电流处理得到测试驱动电压对应的测试驱动时间，并按照测试驱动电压和测试驱动时间对加热到期望结温的各功率器件进行高温安全工作区测试。有益效果是合理安排测试顺序，在高温安全工作区测试前将功率器件快速升温，不需要保温功能减少测试步骤提高测试效率。

公开(公告)号：CN112713144A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202110160609.5

申请日：2021-02-05

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 马伟力

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/04 ,  H01L23/492

Abstract: 本发明公开了一种功率模块封装结构，包括注塑外壳及封装在注塑外壳内的功率模块主体，注塑外壳顶部的中间位置上沿长度方向开设有供功率模块主体的功率端子穿过的矩形孔，注塑外壳对应于矩形孔的位置上设置有向上凸起的凸块，且所述凸块上横向设置有至少两条相对于该凸块向内凹陷的外凹槽，所述注塑外壳的一侧设置有供功率模块主体的信号端子穿过的安装孔，另一侧设置有螺母抽屉凹槽并通过该螺母抽屉凹槽可拆卸设置有盖合在所述矩形孔上的注塑螺母抽屉，所述注塑螺母抽屉的形状与所述凸块和外凹槽的形状匹配，且注塑螺母抽屉对应于功率端子的安装位置上设置有螺母安装孔；所述功率模块主体主要包括散热基板及设置在该散热基板上的电路模块。

公开(公告)号：CN112394208A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202011540283.0

申请日：2020-12-23

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 沈巧强

IPC: G01R1/073 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种功率模块的缺针测试治具，包括机械支撑部及设置在机械支撑部内的测试治具本体，所述测试治具本体主要包括上下设置的探针接触部和探针检测部，所述探针接触部包括第一固定板及垂直设置在第一固定板上的若干接触探针，探针接触部上设置有第一探针电路板；所述探针检测部包括第二固定板及垂直设置在第二固定板上的若干检测探针，探针检测部上设置有第二探针电路板，该第二探针电路板上设置有电源及指示灯；所述接触探针及检测探针的数量和位置与功率模块的针脚对应，当功率模块的全部针脚下压接触探针使得接触探针与检测探针接触时，第一探针电路板和第二探针电路板上的电路连通并形成完整回路使得探针检测部上的指示灯点亮。

公开(公告)号：CN111244171A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010207447.1

申请日：2020-03-23

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 伽亚帕·维拉玛·苏巴斯 ,  汤艺 ,  永福

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 一种沟槽RC-IGBT器件结构及其制作方法，主要包括N型衬底及设置在N型衬底顶部的P阱层，所述P阱层上通过第一接触孔和第二接触孔连接有金属层，所述第一接触孔两侧的P阱层内朝向N型衬底一侧分别设置有沟槽，该沟槽内通过氧化层设置有与沟槽形状对应的多晶硅层，所述N型衬底靠近第一接触孔的一侧设置有与P阱层接触的N型电荷储存层，所述N型衬底的底部设置有N型场终止层；所述金属层为阶梯状结构，且第一接触孔上部金属层的高度高于第二接触孔上部金属层的高度，所述金属层及金属层覆盖区域依次形成了IGBT单胞区及FRD单胞区，N型衬底上未设置金属层的一侧形成了终端区域；它具有工艺控制简单，与通用的沟槽型IGBT工艺兼容等特点。

公开(公告)号：CN109449134A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811474983.7

申请日：2018-12-04

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 沈斌 ,  姚礼军 ,  张根成

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 一种车用级高可靠功率模块，包括绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分、绝缘基板、功率端子、信号端子、铝线、塑料外壳、硅凝胶、热敏电阻、功率基板，绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分、信号端子分别通过锡焊焊接在绝缘基板的导电铜层上；功率端子通过超声波焊接在绝缘基板的导电铜层上；所述绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分之间、绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分与绝缘基板相应的导电层之间均通过铝线键合实现电气连接；塑料外壳和绝缘基板通过密封胶粘接，同时配合螺丝连接；置于塑料外壳内的绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分、绝缘基板、功率端子、信号端子、铝线、热敏电阻均通过覆盖有以提高各原件之间耐压的绝缘硅凝胶。

公开(公告)号：CN105679691B

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201610136577.4

申请日：2016-03-10

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 胡少华

IPC: H01L21/66

Abstract: 一种功率模块连接质量的检测方法，所述的功率模块主要是由半导体芯片、第一连接层、覆铜陶瓷基板、第二连接层、基板组装而成，所述第一连接层连接半导体芯片与覆铜陶瓷基板的上铜层，第二连接层连接覆铜陶瓷基板的下铜层与基板；所述的检测方法包括：a）把功率模块放置于高精度平台上，关互锁安全门；b）选择检测条件如电压，电流，光管开始工作，光管发射的X光穿过功率模块；c）探测器固定在C型臂上，选定与法线方向有一定夹角的位置；探测器可检测到偏转相同角度的X光信号，从而接收到完整的X光信息；d）根据X光信号层析成像，形成若干层的X光图像；e）再利用专门开发的软件，分析一个芯片或DBC的整体气孔率或最大单个气孔率。