公开(公告)号：CN118237802A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410336841.3

申请日：2024-03-22

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 王晓馨 ,  胡少华 ,  鲁俊杰

IPC: B23K35/40 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  B23K35/30 ,  B23K3/06 ,  B23K3/00 ,  B23K3/08 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明提供一种复合银膜及其制备方法和硅基GaN芯片烧结方法，复合银膜用作硅基GaN芯片烧结的焊料，步骤A1，对由纳米银颗粒和微米银颗粒组成的双峰银颗粒进行处理后得到双峰银浆，以及对金刚石颗粒通过处理得到含钛金属的改性金刚石浆料；步骤A2，将双峰银浆印刷在塑料基板上烘干后得到第一银膜；步骤A3，在第一银膜上涂布一层改性金刚石浆料，预烘后在涂布的改性金刚石浆料表面印刷一层双峰银浆，烘干后形成第一银膜‑改性金刚石层‑第二银膜三层夹心结构的复合银膜。复合银膜可以在整个烧结制程中减少因热胀冷缩造成的芯片应力损伤导致的裂纹问题，经过烧结后芯片与基板之间接头剪切强度高。

公开(公告)号：CN118366942A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410523594.8

申请日：2024-04-28

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 熊伟 ,  鲁俊杰 ,  胡少华

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及功率模块封装技术领域，具体涉及一种氮化镓功率模块结构。包括，下散热器；下基板，设于所述下散热器上；氮化镓芯片，设于所述下基板上；垫块，设于所述下基板上，所述氮化镓芯片位于所述垫块的下方，所述氮化镓芯片的上表面与所述垫块的下表面电连接；上基板，设于所述垫块上与所述垫块的上表面电连接；上散热器，设于所述基板上。本发明通过上基板和下基板进行散热，能提升功率模块的散热性能；同时通过垫块实现了氮化镓芯片的电极焊盘与上基板的电气连接，减小了因键合线互联带来的杂散电感，降低器件功耗，提升器件的可靠性。

公开(公告)号：CN221596374U

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202323205245.1

申请日：2023-11-27

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 鲁俊杰 ,  张庆典 ,  张林 ,  王晓馨

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型提供一种功率半导体模块烧结用压头，涉及半导体烧结设备技术领域，所述功率半导体模块上包含预烧结银焊片，所述烧结用压头包括硬质压头和软质压头，所述软质压头的设置位置与所述预烧结银焊片的布局位置相适配，所述硬质压头的设置位置与除所述预烧结银焊片之外的所述功率半导体模块的其他区域的布局位置相适配。有益效果是烧结用压头包括硬质压头和软质压头，能够实现包含预烧结银焊片的功率半导体模块一次烧结，有效延长烧结压头的使用寿命。