公开(公告)号：CN118237802A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410336841.3

申请日：2024-03-22

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 王晓馨 ,  胡少华 ,  鲁俊杰

IPC: B23K35/40 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  B23K35/30 ,  B23K3/06 ,  B23K3/00 ,  B23K3/08 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明提供一种复合银膜及其制备方法和硅基GaN芯片烧结方法，复合银膜用作硅基GaN芯片烧结的焊料，步骤A1，对由纳米银颗粒和微米银颗粒组成的双峰银颗粒进行处理后得到双峰银浆，以及对金刚石颗粒通过处理得到含钛金属的改性金刚石浆料；步骤A2，将双峰银浆印刷在塑料基板上烘干后得到第一银膜；步骤A3，在第一银膜上涂布一层改性金刚石浆料，预烘后在涂布的改性金刚石浆料表面印刷一层双峰银浆，烘干后形成第一银膜‑改性金刚石层‑第二银膜三层夹心结构的复合银膜。复合银膜可以在整个烧结制程中减少因热胀冷缩造成的芯片应力损伤导致的裂纹问题，经过烧结后芯片与基板之间接头剪切强度高。

公开(公告)号：CN221596374U

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202323205245.1

申请日：2023-11-27

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 鲁俊杰 ,  张庆典 ,  张林 ,  王晓馨

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型提供一种功率半导体模块烧结用压头，涉及半导体烧结设备技术领域，所述功率半导体模块上包含预烧结银焊片，所述烧结用压头包括硬质压头和软质压头，所述软质压头的设置位置与所述预烧结银焊片的布局位置相适配，所述硬质压头的设置位置与除所述预烧结银焊片之外的所述功率半导体模块的其他区域的布局位置相适配。有益效果是烧结用压头包括硬质压头和软质压头，能够实现包含预烧结银焊片的功率半导体模块一次烧结，有效延长烧结压头的使用寿命。