公开(公告)号：CN103779307A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410038553.6

申请日：2014-01-25

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 胡少华

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种全免清洗软钎焊功率模块及制备方法，所述的功率模块主要包括：外壳，外壳上端子，键合金属线，金属基板，芯片，导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底，焊接芯片的第一焊接层，焊接衬底的第二焊接层，填充材料，以及其它必要的部件；所述的导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底是一个烧结体，由第一金属层，陶瓷层，第二金属层三层覆合结构组成，第一金属层上通过焊片形成第一焊接层焊接有芯片；第二金属层也通过焊片形成第二焊接层焊接在金属基板上；所述芯片通过键合线电连接到金属层或外壳上端子上；外壳包围模块的上半部分，包括外壳上端子的一部分，键合线，半导体芯片，二极管芯片，第一焊接层，导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底，第二焊接层；填充材料填充在外壳以内的区域，即外壳包围的上半部分。

公开(公告)号：CN118366942A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410523594.8

申请日：2024-04-28

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 熊伟 ,  鲁俊杰 ,  胡少华

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及功率模块封装技术领域，具体涉及一种氮化镓功率模块结构。包括，下散热器；下基板，设于所述下散热器上；氮化镓芯片，设于所述下基板上；垫块，设于所述下基板上，所述氮化镓芯片位于所述垫块的下方，所述氮化镓芯片的上表面与所述垫块的下表面电连接；上基板，设于所述垫块上与所述垫块的上表面电连接；上散热器，设于所述基板上。本发明通过上基板和下基板进行散热，能提升功率模块的散热性能；同时通过垫块实现了氮化镓芯片的电极焊盘与上基板的电气连接，减小了因键合线互联带来的杂散电感，降低器件功耗，提升器件的可靠性。

公开(公告)号：CN105679691A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610136577.4

申请日：2016-03-10

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 胡少华

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20

Abstract: 一种功率模块连接质量的检测方法，所述的功率模块主要是由半导体芯片、第一连接层、覆铜陶瓷基板、第二连接层、基板组装而成，所述第一连接层连接半导体芯片与覆铜陶瓷基板的上铜层，第二连接层连接覆铜陶瓷基板的下铜层与基板；所述的检测方法包括：a）把功率模块放置于高精度平台上，关互锁安全门；b）选择检测条件如电压，电流，光管开始工作，光管发射的X光穿过功率模块；c）探测器固定在C型臂上，选定与法线方向有一定夹角的位置；探测器可检测到偏转相同角度的X光信号，从而接收到完整的X光信息；d）根据X光信号层析成像，形成若干层的X光图像；e）再利用专门开发的软件，分析一个芯片或DBC的整体气孔率或最大单个气孔率。

公开(公告)号：CN118237802A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410336841.3

申请日：2024-03-22

Applicant: 斯达半导体股份有限公司

Inventor： 王晓馨 ,  胡少华 ,  鲁俊杰

IPC: B23K35/40 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  B23K35/30 ,  B23K3/06 ,  B23K3/00 ,  B23K3/08 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明提供一种复合银膜及其制备方法和硅基GaN芯片烧结方法，复合银膜用作硅基GaN芯片烧结的焊料，步骤A1，对由纳米银颗粒和微米银颗粒组成的双峰银颗粒进行处理后得到双峰银浆，以及对金刚石颗粒通过处理得到含钛金属的改性金刚石浆料；步骤A2，将双峰银浆印刷在塑料基板上烘干后得到第一银膜；步骤A3，在第一银膜上涂布一层改性金刚石浆料，预烘后在涂布的改性金刚石浆料表面印刷一层双峰银浆，烘干后形成第一银膜‑改性金刚石层‑第二银膜三层夹心结构的复合银膜。复合银膜可以在整个烧结制程中减少因热胀冷缩造成的芯片应力损伤导致的裂纹问题，经过烧结后芯片与基板之间接头剪切强度高。

公开(公告)号：CN105679691B

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201610136577.4

申请日：2016-03-10

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 胡少华

IPC: H01L21/66

Abstract: 一种功率模块连接质量的检测方法，所述的功率模块主要是由半导体芯片、第一连接层、覆铜陶瓷基板、第二连接层、基板组装而成，所述第一连接层连接半导体芯片与覆铜陶瓷基板的上铜层，第二连接层连接覆铜陶瓷基板的下铜层与基板；所述的检测方法包括：a）把功率模块放置于高精度平台上，关互锁安全门；b）选择检测条件如电压，电流，光管开始工作，光管发射的X光穿过功率模块；c）探测器固定在C型臂上，选定与法线方向有一定夹角的位置；探测器可检测到偏转相同角度的X光信号，从而接收到完整的X光信息；d）根据X光信号层析成像，形成若干层的X光图像；e）再利用专门开发的软件，分析一个芯片或DBC的整体气孔率或最大单个气孔率。

公开(公告)号：CN103769764A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410034621.1

申请日：2014-01-25

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 胡少华

IPC: B23K35/28 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/262 ,  H01L25/072

Abstract: 一种软钎焊的焊片和功率模块组装结构，所述的软钎焊的焊片，它主要由片状焊料组成，其特征在于所述的片状焊料中含有熔点在软钎焊温度以上的金属或其合金颗粒；所述功率模块组装结构，所述功率模块包括：芯片，金属化陶瓷衬底（如DBC），散热基板，其特征在于所述芯片通过焊接在所述金属化陶瓷衬底的上表面铜层上，并形成功率模块的第一层焊接体；所述第一层焊接体通过软钎焊的焊片焊接到散热基板上，形成第二层焊接体，且所述软钎焊的焊片中的金属颗粒厚度或直径小于第一层焊接体与散热基板之间形成的焊接层厚度；由于焊料层中金属颗粒的存在，客观上起到了阻止焊料裂纹扩展的作用，将显著提高连接的质量和可靠性。

公开(公告)号：CN203871316U

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201420046698.6

申请日：2014-01-25

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 胡少华

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/19107

Abstract: 一种全免清洗软钎焊功率模块，所述的功率模块主要包括：外壳，外壳上端子，键合金属线，金属基板，芯片，导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底，焊接芯片的第一焊接层，焊接衬底的第二焊接层，填充材料，以及其它必要的部件；所述的导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底是一个烧结体，由第一金属层，陶瓷层，第二金属层三层覆合结构组成，第一金属层上通过焊片形成第一焊接层焊接有芯片；第二金属层也通过焊片形成第二焊接层焊接在金属基板上；所述芯片通过键合线电连接到金属层或外壳上端子上；外壳包围模块的上半部分，包括外壳上端子的一部分，键合线，半导体芯片，二极管芯片，第一焊接层，导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底，第二焊接层；填充材料填充在外壳以内的区域，即外壳包围的上半部分。