公开(公告)号：CN103779307A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410038553.6

申请日：2014-01-25

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 胡少华

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种全免清洗软钎焊功率模块及制备方法，所述的功率模块主要包括：外壳，外壳上端子，键合金属线，金属基板，芯片，导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底，焊接芯片的第一焊接层，焊接衬底的第二焊接层，填充材料，以及其它必要的部件；所述的导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底是一个烧结体，由第一金属层，陶瓷层，第二金属层三层覆合结构组成，第一金属层上通过焊片形成第一焊接层焊接有芯片；第二金属层也通过焊片形成第二焊接层焊接在金属基板上；所述芯片通过键合线电连接到金属层或外壳上端子上；外壳包围模块的上半部分，包括外壳上端子的一部分，键合线，半导体芯片，二极管芯片，第一焊接层，导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底，第二焊接层；填充材料填充在外壳以内的区域，即外壳包围的上半部分。

公开(公告)号：CN105679691A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610136577.4

申请日：2016-03-10

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 胡少华

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20

Abstract: 一种功率模块连接质量的检测方法，所述的功率模块主要是由半导体芯片、第一连接层、覆铜陶瓷基板、第二连接层、基板组装而成，所述第一连接层连接半导体芯片与覆铜陶瓷基板的上铜层，第二连接层连接覆铜陶瓷基板的下铜层与基板；所述的检测方法包括：a）把功率模块放置于高精度平台上，关互锁安全门；b）选择检测条件如电压，电流，光管开始工作，光管发射的X光穿过功率模块；c）探测器固定在C型臂上，选定与法线方向有一定夹角的位置；探测器可检测到偏转相同角度的X光信号，从而接收到完整的X光信息；d）根据X光信号层析成像，形成若干层的X光图像；e）再利用专门开发的软件，分析一个芯片或DBC的整体气孔率或最大单个气孔率。

公开(公告)号：CN105679691B

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201610136577.4

申请日：2016-03-10

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 胡少华

IPC: H01L21/66

Abstract: 一种功率模块连接质量的检测方法，所述的功率模块主要是由半导体芯片、第一连接层、覆铜陶瓷基板、第二连接层、基板组装而成，所述第一连接层连接半导体芯片与覆铜陶瓷基板的上铜层，第二连接层连接覆铜陶瓷基板的下铜层与基板；所述的检测方法包括：a）把功率模块放置于高精度平台上，关互锁安全门；b）选择检测条件如电压，电流，光管开始工作，光管发射的X光穿过功率模块；c）探测器固定在C型臂上，选定与法线方向有一定夹角的位置；探测器可检测到偏转相同角度的X光信号，从而接收到完整的X光信息；d）根据X光信号层析成像，形成若干层的X光图像；e）再利用专门开发的软件，分析一个芯片或DBC的整体气孔率或最大单个气孔率。

公开(公告)号：CN103769764A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410034621.1

申请日：2014-01-25

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 胡少华

IPC: B23K35/28 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/262 ,  H01L25/072

Abstract: 一种软钎焊的焊片和功率模块组装结构，所述的软钎焊的焊片，它主要由片状焊料组成，其特征在于所述的片状焊料中含有熔点在软钎焊温度以上的金属或其合金颗粒；所述功率模块组装结构，所述功率模块包括：芯片，金属化陶瓷衬底（如DBC），散热基板，其特征在于所述芯片通过焊接在所述金属化陶瓷衬底的上表面铜层上，并形成功率模块的第一层焊接体；所述第一层焊接体通过软钎焊的焊片焊接到散热基板上，形成第二层焊接体，且所述软钎焊的焊片中的金属颗粒厚度或直径小于第一层焊接体与散热基板之间形成的焊接层厚度；由于焊料层中金属颗粒的存在，客观上起到了阻止焊料裂纹扩展的作用，将显著提高连接的质量和可靠性。

公开(公告)号：CN203871316U

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201420046698.6

申请日：2014-01-25

Applicant: 嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 胡少华

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/19107

Abstract: 一种全免清洗软钎焊功率模块，所述的功率模块主要包括：外壳，外壳上端子，键合金属线，金属基板，芯片，导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底，焊接芯片的第一焊接层，焊接衬底的第二焊接层，填充材料，以及其它必要的部件；所述的导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底是一个烧结体，由第一金属层，陶瓷层，第二金属层三层覆合结构组成，第一金属层上通过焊片形成第一焊接层焊接有芯片；第二金属层也通过焊片形成第二焊接层焊接在金属基板上；所述芯片通过键合线电连接到金属层或外壳上端子上；外壳包围模块的上半部分，包括外壳上端子的一部分，键合线，半导体芯片，二极管芯片，第一焊接层，导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底，第二焊接层；填充材料填充在外壳以内的区域，即外壳包围的上半部分。