蚀刻液组成物及其蚀刻方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117467442A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202210863276.7

    申请日:2022-07-21

    Abstract: 一种蚀刻液组成物及其蚀刻方法,适用于对厚膜,特别是指用于对膜厚大于 以上的透明导电氧化物进行蚀刻,其中该蚀刻液组成物包含0.5~10wt%的有机酸、0.001~0.5wt%的表面活性剂、0.001~0.5wt%的添加剂及余量的水。本发明的蚀刻液组成物可以有效减少残留在玻璃基板上的ITO残留物,且不会腐蚀金属导线,并具有低表面张力、低起泡性、高消泡性等特点,蚀刻液组成物本身也能提高整体溶液的稳定性,延长使用寿命。

    回收显影废液中氢氧化四甲基铵并移除含氮化合物的方法及装置

    公开(公告)号:CN118271182A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202211717428.9

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 一种回收显影废液中氢氧化四甲基铵并移除含氮化合物的方法及装置,其方法包含一第一吸附步骤、一第一控制步骤、一第二控制步骤,及一第三控制步骤,于该第一吸附步骤中,以一第一离子树脂吸附一显影废液中的氢氧化四甲基铵及含氮化合物,于该第一控制步骤中,控制该显影废液于高酸碱值及高流速流入该第一离子树脂,用以脱附该第一离子树脂中的含氮化合物,于该第二控制步骤,当脱附该第一离子树脂中的含氮化合物后,停止该显影废液的流动,于该第三控制步骤中,对该第一离子树脂进行再生并取得一四甲基铵盐溶液。

    显影废液的二次废液中四甲基氢氧化铵的回收方法

    公开(公告)号:CN108623052A

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201710173572.3

    申请日:2017-03-22

    Abstract: 本发明公开了一种显影废液的二次废液中四甲基氢氧化铵的回收方法,包含一收集步骤、一第一调整步骤、一过滤步骤、一纯化步骤及一电解透析步骤。首先收集显影废液进行四甲基氢氧化铵回收后所产生的二次废液,并以酸液调整其酸碱值使得四甲基氢氧化铵离子与酸液形成四甲基铵盐水溶液,并让废光阻不溶于该二次废液中。接着该过滤步骤是过滤出废光阻而得到四甲基铵盐水溶液,再以一树脂塔纯化该四甲基铵盐水溶液中所含有的金属离子而得到四甲基铵盐水溶液。再进行该电解透析步骤使四甲基铵离子与相对离子分离而转化成四甲基氢氧化铵,而得到四甲基氢氧化铵水溶液。

    蚀刻液的回收方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115449797A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202110641678.8

    申请日:2021-06-09

    Abstract: 本发明提供了一种蚀刻液的回收方法,该蚀刻液包含一螯合剂,该螯合剂是选自于二甲基乙醛二肪、乙酰酮、生长激素、胺基乙酸、乙二胺四乙酸、乙二胺、羟基乙叉二膦酸、二氮杂菲的其中之一或以上的混合物,该回收方法包含一收集步骤、一过滤步骤及一补充步骤。该收集步骤是收集铜离子含量超过一标准值的蚀刻液,该过滤步骤是将该收集步骤中所取得的蚀刻液通入一离子交换系统进行过滤,使该蚀刻液的铜离子含量下降至一许可值以下。该补充步骤是将过滤后的该蚀刻液补充添加剂后,可重复进行蚀刻作业。以此,该螯合剂能让蚀刻液中的铜离子以离子交换的方式被回收,使蚀刻液可重复使用而延长使用寿命,更利于环保,且降低废液的处理成本。

    金属层蚀刻液及其回收设备
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115449793A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202110641560.5

    申请日:2021-06-09

    Abstract: 本发明提供了一种金属层蚀刻液及其回收设备,其中该金属层蚀刻液包含0.01至20wt%的氧化剂、0.01至3wt%的腐蚀抑制剂、0.6至6wt%的溶剂、1至10wt%的酸碱值调整剂、1至20wt%的有机酸、0.01至30wt%的螯合剂及补至100wt%的水性介质。其中,该螯合剂是选自二甲基乙醛二肪、乙酰酮、生长激素、胺基乙酸、乙二胺四乙酸、乙二胺、羟基乙叉二膦酸、二氮杂菲的其中之一或以上的混合物。本发明的回收设备能以离子交换的方式回收金属层蚀刻液内含的铜离子,以使经回收后的金属层蚀刻液经添加适当补充后可重复进行蚀刻作业,延长蚀刻液的使用寿命,同时减少蚀刻废液内的铜离子含量及其处理成本,进而降低整体蚀刻制程的成本。

    玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法与设备

    公开(公告)号:CN102653451A

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201110051027.X

    申请日:2011-03-01

    Inventor: 王耀铭

    Abstract: 本发明是有关于一种玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法与设备。在化学蚀刻过程中持续使蚀刻液由蚀刻槽输送到结晶槽,并保持蚀刻液在结晶槽内的温度低于在蚀刻槽内的温度,使溶解的蚀刻反应生成物在结晶槽内结晶。未沉降的结晶在流入加热装置先以过滤器滤出,再在加热装置中回复蚀刻液温度与浓度,再导入蚀刻槽进行蚀刻。加热方式包含外部热源及(或)浓蚀刻液补充时的稀释热,特别是以利用稀释热方式进行升温。因此,可达到连续结晶下蚀刻的目的,并避免蚀刻液在蚀刻槽内生成结晶而产生水波纹,进而提升玻璃基板的外观质量。

    玻璃基板均匀薄化装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101164945A

    公开(公告)日:2008-04-23

    申请号:CN200610140949.7

    申请日:2006-10-17

    Inventor: 谢育和

    Abstract: 本发明是有关一种玻璃基板均匀薄化装置,主要包含一蚀刻循环槽、一基板固定机构以及一柏努利振荡机构。该蚀刻循环槽,是用以容纳与更新玻璃蚀刻液。该基板固定机构,是用以固定复数个玻璃基板于该蚀刻循环槽内。该柏努利振荡机构,是连接该基板固定机构,以使在该蚀刻循环槽内的玻璃基板作各式振荡动作。本发明可以达到均匀蚀刻密集排列的玻璃基板,并减少氢氟酸气化量。

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