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公开(公告)号：CN117467442A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210863276.7
申请日：2022-07-21
Applicant: 三福化工股份有限公司
IPC: C09K13/00 , H01L21/3213
Abstract: 一种蚀刻液组成物及其蚀刻方法，适用于对厚膜，特别是指用于对膜厚大于 以上的透明导电氧化物进行蚀刻，其中该蚀刻液组成物包含0.5～10wt％的有机酸、0.001～0.5wt％的表面活性剂、0.001～0.5wt％的添加剂及余量的水。本发明的蚀刻液组成物可以有效减少残留在玻璃基板上的ITO残留物，且不会腐蚀金属导线，并具有低表面张力、低起泡性、高消泡性等特点，蚀刻液组成物本身也能提高整体溶液的稳定性，延长使用寿命。
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