公开(公告)号：CN118063244A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410182605.0

申请日：2024-02-19

申请人： 广西三环高科拉曼芯片技术有限公司 ,  清华大学

发明人： 李世林 ,  凌云汉 ,  陈诚 ,  林鹰 ,  麦胜勇

IPC分类号： C04B41/90 ,  C23C14/30 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明属于制陶技术领域，具体涉及一种陶瓷表面镀纳米金的制备方法。一种陶瓷表面镀纳米金的制备方法，包括以下步骤：S1.在已烧成的陶瓷表面涂覆金水后退火制备过渡层；S2.在已形成过渡层的陶瓷表面通过真空蒸镀制备纳米金；S3.对已形成纳米金的陶瓷进行真空退火，提高镀金层结合力，制得成品。本发明陶瓷表面镀纳米金的制备方法，通过巧妙利用金水技术制备过渡层，结合真空蒸镀技术，在陶瓷表面可形成高纯度纳米金。其次，本发明陶瓷表面镀纳米金，没有重金属污染，无金属有机物黑点瑕疵，光泽度更好，品质更高。另外，本发明制备的纳米金陶瓷可以降低溶液中氰化物的浓度，具有具有抗菌降毒效果，适用于高端日用陶瓷领域。

公开(公告)号：CN118048604A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410189408.1

申请日：2024-02-20

申请人： 浙江芯科半导体有限公司

发明人： 王兵 ,  张梦龙 ,  柯茜 ,  李京波

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

摘要： 本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体公开了一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法，包括：S1、准备基板，S2、梯度沉积，S3、纳米颗粒沉积，S4、梯度变化控制，S5、冷却和后处理和S6、测试表征；本发明通过梯度沉积，薄膜可以具有渐变的性质，例如从一侧到另一侧逐渐变化的成分、晶体结构或机械性能，这种梯度性质可以用于制备适应不同环境或功能层次的器件，纳米颗粒可以改变薄膜的局部性质，例如增强硬度、改善光学性能或调节导电性，纳米颗粒的嵌入可以改变薄膜的功能，使其更适用于某些应用，如传感器、储能设备，通过调整梯度沉积和纳米颗粒的沉积条件，可以根据需求定制S i C薄膜的性质，包括电学、光学、热学和力学性能。

公开(公告)号：CN118028751A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410181289.5

申请日：2024-02-18

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 崔义 ,  雷浩 ,  魏伟 ,  龚忠苗

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

摘要： 本发明公开了单层MoS2薄膜的制备方法、薄膜材料、组件及装置，其中制备方法为在真空互联条件下实施包括如下步骤：准备衬底：所述衬底至少具有Au单晶界面；薄膜生长：在Au单晶界面上，以硫粉和三氧化钼作为前驱体在700‑800℃下生长5‑10分钟。本发明方案制备工艺简单，洁净度高，可控性好，对单层薄膜的形貌具有良好的调控性和取向性，薄膜性能稳定性好。

公开(公告)号：CN118007085A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410411904.7

申请日：2024-04-08

申请人： 中山大学

发明人： 冯琳 ,  林思远 ,  黄波 ,  王楠 ,  尼尕拉·米吉提

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

摘要： 本发明公开了一种Cr2AlC涂层及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射分别依次将金属Cr靶、石墨靶和金属Al靶沉积在衬底上，形成由Cr层、C层和Al层组成的依次重叠的重复单元，按照上述顺序重复沉积，形成Cr/Al/C多层膜；在空气气氛中，将Cr/Al/C多层膜升温至450～725℃，保温≥0.5h，降温，获得Cr2AlC涂层；Cr/Al/C多层膜的厚度≥300nm；Cr层的厚度为5～11nm，C层的厚度为2～6nm，Al层的厚度为3～7nm。本发明构建了Cr/Al/C多层膜体系，在空气气氛下热处理即可获得Cr2AlC涂层，涂层具有优异的抗氧化性、电化学性能和耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN118007065A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410208568.6

申请日：2024-02-26

申请人： 电子科技大学

发明人： 赵晓辉 ,  刘昱辰 ,  陈哲 ,  彭斌

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/54 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00 ,  C23C14/02 ,  G01B7/16

摘要： 一种PtW/Pt复合材料应变薄膜及其制备方法，属于薄膜传感器设计与生产技术领域。所述应变薄膜包括PtW层和Pt层；其中，PtW层的厚度为30～100nm，Pt层的厚度为300nm～2000nm，PtW层和Pt层的厚度比为1：(10～20)；PtW层中，W的质量百分含量为6～8％。本发明采用PtW和Pt双层薄膜结构，PtW层可以增强Pt在氧化物绝缘层上的附着力，抑制Pt的高温团聚，维持Pt薄膜的完整性和均匀性，保持Pt薄膜具有应变灵敏系数和高温稳定性，实现1000℃下应变的准确测量；同时严格控制PtW层和Pt层的厚度比，以及PtW层中W的含量，优化薄膜高温性能，保证薄膜在高温下对应变的准确测量。

公开(公告)号：CN111868884B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN201980001810.X

申请日：2019-08-28

申请人： 艾德麦普株式会社

发明人： 川本聪

IPC分类号： H01L21/205 ,  C04B35/569 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C16/01 ,  C23C16/42 ,  H01L21/683

摘要： 提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体。SiC膜构造体(10)通过气相沉积型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通过去除基材(50)而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体(12)，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材(50)的开口部(12a)；盖体(14)，其覆盖开口部(12a)；SiC涂层(16)，其至少覆盖本体(12)与盖体(14)的外缘部的接触部位而将两者接合。

公开(公告)号：CN117987771A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410108509.1

申请日：2024-01-25

申请人： 季华实验室

发明人： 杨一新

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  H10K71/16 ,  C23C14/32 ,  C23C14/58 ,  C23C16/01 ,  C23C16/56 ,  B23K26/21 ,  B23K26/382

摘要： 本发明涉及掩膜板制备技术领域，公开了一种高精密掩膜板及其制备方法，其包括步骤：在载板上制备分离层；采用真空镀膜的方式在分离层上制备掩膜片箔膜；在掩膜片箔膜上制备第二光阻膜层并在第二光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜；对掩膜片箔膜进行刻蚀处理进行刻蚀处理，将得到的刻蚀掩膜片预固定在掩膜框上；将刻蚀掩膜片与载板进行分离；将分离后的刻蚀掩膜片通过激光焊接的方式二次固定在掩膜框上，制得所述高精密掩膜板。本发明方法能够实现在较薄且具有较佳强度的掩膜片箔膜上进行精密刻蚀，从而制得高精密掩膜板，且本发明刻蚀掩膜片与掩膜框以组件形式绑定，这样制得的掩膜板在分离和搬送时不易起皱或破裂。

公开(公告)号：CN117981929A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211347805.4

申请日：2022-10-31

申请人： 深圳市合元科技有限公司

发明人： 庄鹏宇 ,  雷宝灵 ,  林福文 ,  徐中立 ,  李永海

IPC分类号： A24F40/70 ,  A24F40/46 ,  A24F40/42 ,  A24F40/10 ,  A24F40/51 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C4/08 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  C23C4/04 ,  C23C4/18 ,  C23C14/02 ,  C23C4/02

摘要： 本申请提出一种加热器、气溶胶生成装置及制备方法；其中，加热器包括：电绝缘衬底；加热元件，是将通过气相沉积形成于电绝缘衬底上的薄膜于有氧气氛下烧结获得的；并且薄膜包括不同的第一金属和第二金属。以上加热器中，加热元件是通过混合气相沉积于电绝缘衬底后烧结的。

公开(公告)号：CN117949514A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311703149.1

申请日：2023-12-12

申请人： 西安理工大学

发明人： 周帆 ,  王纪源 ,  宋续航 ,  李艳 ,  高峰

IPC分类号： G01N27/327 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  B22F9/24 ,  B22F1/054 ,  B22F1/12 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明涉及微纳传感与柔性电子技术领域，具体公开了一种金纳米线与石墨烯异质结的葡萄糖传感器及制备方法，所述传感器包括PI基底，固定在PI基底上的三电极(包括工作电极、参比电极、对电极)，沉积在三电极上的PI钝化层，固定在工作电极上的蘑菇状金纳米线与氧化石墨烯异质结、葡萄糖氧化酶、Nafion膜。将三电极集成于PI基底上，实现汗液中葡萄糖的原位和无创检测。该异质结利用蘑菇状金纳米线比表面积大、电子传输能力强以及氧化石墨烯电子转移速率快的协同作用，提高了传感器电子产率和传输速率，增强了传感器的响应能力。另外，将葡萄糖氧化酶更换为乳酸酶、脲酶等，还可检测汗液中乳酸、尿素等物质。

公开(公告)号：CN117947423A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202211336222.1

申请日：2022-10-28

申请人： 华中科技大学

发明人： 于尧 ,  陆安康 ,  柳林

IPC分类号： C23F4/04 ,  B22D11/06 ,  C22C1/08 ,  C22C3/00 ,  C22C33/00 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  H05H1/24

摘要： 本发明属于多孔金属制备技术领域，更具体地，涉及一种脱合金方法、多孔金属的制备方法及系统。对合金前驱体施加射频功率，使保护性气体放电形成大气压射频等离子体，利用大气压射频等离子体对合金前驱体进行脱合金处理；脱合金处理过程中，一方面通过所述大气压射频等离子体对所述合金前驱体快速加热使得所述合金前驱体发生非平衡熔化，使合金形成固液共存状态；另一方面，利用所述合金前驱体表面的等离子体鞘层所产生的强电场，将该合金前驱体熔化的部分从该合金前驱体中分离出，达到脱合金的目的，同时制备得到多孔金属。该方法简单易行，省时高效，设备成本低廉且可大规模处理。