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公开(公告)号：CN119838821A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510323361.8
申请日：2025-03-19
Applicant: 季华实验室
Inventor： 杨一新
Abstract: 本发明涉及涂布技术领域，特别涉及一种可分解式狭缝涂布模头及涂布设备。所述可分解式狭缝涂布模头包括从上往下层叠设置的盖板、第一流道板和支撑板；所述盖板、第一流道板和支撑板可拆卸连接；所述第一流道板的底部设置有多条供液管；所述支撑板的下方设置有涂唇组件；所述涂唇组件内设置有进液槽或多个进液孔；所述供液管插入进液槽或进液孔内；所述第一流道板的顶面或底面设置有第一分流管道；所述盖板上连接有进液管；所述第一流道板的出液端分别与多条供液管连通。本发明的狭缝涂布模头可拆解，便于清洗分流管道，并且液体对狭缝的供料均匀性好，整体体积和重量更小，可控性更强。
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公开(公告)号：CN119433434A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411476912.6
申请日：2023-03-30
Applicant: 季华实验室
Inventor： 杨一新
Abstract: 本公开为：发明名称为一种掩膜组件、蒸镀设备和蒸镀方法，申请号为CN202310335049.1，申请日为2023年03月30日的分案申请，其涉及一种掩膜组件、蒸镀设备和蒸镀方法，其中，掩膜组件包括至少一个掩膜框和设置在所述掩膜框的承载面上的掩膜片；所述掩膜框包括掩膜边框和位于所述掩膜边框围绕区域内的至少一个支撑梁；所述支撑梁的承载面与所述掩膜框的承载面平齐。本公开可以减小掩膜片受重力产生变形的问题，适用于各种尺寸的掩膜片，提高目标基板的对位准确度，提升蒸镀效果。
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公开(公告)号：CN118547240B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411046489.6
申请日：2024-08-01
Applicant: 季华实验室
Inventor： 杨一新
Abstract: 本发明公开了一种掩膜板制备方法及掩膜板，涉及掩膜板技术领域。所述方法包括以下步骤：步骤S1.在载板其中一表面形成一光阻膜；步骤S2.在光阻膜上形成倒梯形结构的槽孔；步骤S3.在光阻膜表面设置一加强筋；步骤S4.通过真空镀膜的方法在光阻膜及加强筋表面形成第一真空镀箔膜，在槽孔中形成第二真空镀箔膜；步骤S5.去除光阻膜，将加强筋和第一真空镀箔膜与载板及第二真空镀箔膜分离，得到掩膜片组合，该掩膜片组合由加强筋和第一真空镀箔膜构成；步骤S6.将掩膜片组合转移至掩膜框上，并与掩膜框绑定，得到掩膜板。通过该方法，可获得具有扩口状开口部的掩膜板，且制备过程中掩膜片不易起皱、变形、开裂。
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公开(公告)号：CN118547240A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202411046489.6
申请日：2024-08-01
Applicant: 季华实验室
Inventor： 杨一新
Abstract: 本发明公开了一种掩膜板制备方法及掩膜板，涉及掩膜板技术领域。所述方法包括以下步骤：步骤S1.在载板其中一表面形成一光阻膜；步骤S2.在光阻膜上形成倒梯形结构的槽孔；步骤S3.在光阻膜表面设置一加强筋；步骤S4.通过真空镀膜的方法在光阻膜及加强筋表面形成第一真空镀箔膜，在槽孔中形成第二真空镀箔膜；步骤S5.去除光阻膜，将加强筋和第一真空镀箔膜与载板及第二真空镀箔膜分离，得到掩膜片组合，该掩膜片组合由加强筋和第一真空镀箔膜构成；步骤S6.将掩膜片组合转移至掩膜框上，并与掩膜框绑定，得到掩膜板。通过该方法，可获得具有扩口状开口部的掩膜板，且制备过程中掩膜片不易起皱、变形、开裂。
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公开(公告)号：CN119673742B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510186536.5
申请日：2025-02-20
Applicant: 季华实验室
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C14/22
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，特别是一种狭缝式气体供给装置和镀膜设备。狭缝式气体供给装置，其包括供气设备、第一分流管和第一扩散器，所述第一分流管设有均连通到第一分流管内的第一气体入口和多个第一喷孔，所述第一气体入口与所述供气设备通过管道连接，所述第一扩散器内设有第一匀气空间，所有的所述第一喷孔和所述第一匀气空间相连通，所述第一扩散器上设有连通所述第一匀气空间的第一狭缝，所述第一狭缝用于释放所述第一匀气空间中的气体。通过在点线状的出气口侧加装狭缝扩散器，提升放出气体的均匀性，精准地向工件提供均匀分布的工艺气体，避免了工艺气体的无效扩散，并节约真空腔室内的空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119673742A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510186536.5
申请日：2025-02-20
Applicant: 季华实验室
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C14/22
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，特别是一种狭缝式气体供给装置和镀膜设备。狭缝式气体供给装置，其包括供气设备、第一分流管和第一扩散器，所述第一分流管设有均连通到第一分流管内的第一气体入口和多个第一喷孔，所述第一气体入口与所述供气设备通过管道连接，所述第一扩散器内设有第一匀气空间，所有的所述第一喷孔和所述第一匀气空间相连通，所述第一扩散器上设有连通所述第一匀气空间的第一狭缝，所述第一狭缝用于释放所述第一匀气空间中的气体。通过在点线状的出气口侧加装狭缝扩散器，提升放出气体的均匀性，精准地向工件提供均匀分布的工艺气体，避免了工艺气体的无效扩散，并节约真空腔室内的空间。
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公开(公告)号：CN119040811B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411513819.8
申请日：2024-10-29
Applicant: 季华实验室
Inventor： 杨一新
Abstract: 本发明公开了一种涉及真空蒸镀装置技术领域，特别涉及一种线性蒸发源单元及多蒸发源间隔蒸镀装置，所述线性蒸发源单元包括多个线性蒸发源，所述线性蒸发源呈L形，包括本体、呈线性排列的多个喷嘴、用于连通本体和喷嘴的蒸发颈；所述本体内设有坩埚，用于将蒸镀材料形成蒸气；所述蒸发颈设置于本体的顶部，并沿本体侧边向上延伸，其内设有连通本体和喷嘴的导气通道；多个所述线性蒸发源的本体由下至上依次叠放，且所有线性蒸发源的蒸发颈位于同侧。该线性蒸发源单元可同时蒸镀多种材料，并且结构紧凑，可满足多蒸发源间隔蒸镀装置的需要。
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公开(公告)号：CN117987771A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410108509.1
申请日：2024-01-25
Applicant: 季华实验室
Inventor： 杨一新
IPC: C23C14/04 , C23C14/24 , H10K71/16 , C23C14/32 , C23C14/58 , C23C16/01 , C23C16/56 , B23K26/21 , B23K26/382
Abstract: 本发明涉及掩膜板制备技术领域，公开了一种高精密掩膜板及其制备方法，其包括步骤：在载板上制备分离层；采用真空镀膜的方式在分离层上制备掩膜片箔膜；在掩膜片箔膜上制备第二光阻膜层并在第二光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜；对掩膜片箔膜进行刻蚀处理进行刻蚀处理，将得到的刻蚀掩膜片预固定在掩膜框上；将刻蚀掩膜片与载板进行分离；将分离后的刻蚀掩膜片通过激光焊接的方式二次固定在掩膜框上，制得所述高精密掩膜板。本发明方法能够实现在较薄且具有较佳强度的掩膜片箔膜上进行精密刻蚀，从而制得高精密掩膜板，且本发明刻蚀掩膜片与掩膜框以组件形式绑定，这样制得的掩膜板在分离和搬送时不易起皱或破裂。
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公开(公告)号：CN117747432A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311747983.0
申请日：2023-12-18
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明涉及电子器件制作技术领域，公开了一种高精度电子器件图案的制作方法，其包括步骤：将疏水膜液体材料涂布在基板上并进行硬化处理，形成疏水层干膜；采用激光刻蚀方法在疏水层干膜上刻出器件所需高精度图案的初始沟槽；采用等离子体对初始沟槽进行深度清洁处理，得到精密沟槽；在精密沟槽内用喷墨打印方法注入墨水材料，将墨水材料中的墨水烘干，在基板上生成高精度器件膜层图案；重复上述步骤在基板上完成多层高精度器件膜层图案的制备，制得高精度电子器件图案。本发明提供的高精度电子器件图案的制作方法不受墨水材料注入的喷墨打印工艺精度的限制，只需采用现有高分辨率的激光刻蚀技术便可实现10μm以下高精度电子器件图案的制作。
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